Hi Fachleute,
suche Infos, Datenblätter, Bezugsquellen für Darlingtontransistoren (Verstärkung mindestens 10000) mit zulässigen Verlust-Leistungen über 800 Watt, Kollektorstrom mindestens 30 Ampere, Spannung bis 100 Volt, keine Schalttransistoren, da analoger Betrieb. Bitte auch Infos über Kühlmaßnahmen.
Danke, André
Hi!
suche Infos, Datenblätter, Bezugsquellen für
Darlingtontransistoren (Verstärkung mindestens 10000) mit
zulässigen Verlust-Leistungen über 800 Watt, Kollektorstrom
mindestens 30 Ampere, Spannung bis 100 Volt, keine
Schalttransistoren, da analoger Betrieb. Bitte auch Infos über
Kühlmaßnahmen.
So extreme Leistungen würde ich mit PWM (Pulse-Width-Modulation) machen. Mit Schalt-Transistoren oder FETs. Is viel schonender!
Kannst doch nicht einfach 800W verbrutzeln!
Bye
Hansi
Hallo André,
die kleine Transistorpille darf höchstens 150°C warm werden und wird über den Wärmeübergangswiderstand des Gehäuses gekühlt. Wenn es gelänge, das Transistorgehäuse mit flüssigem Stickstoff auf -196°C zu kühlen, hättest Du zwischen Halbleiterchip und Gehäuseoberfläche eine Temperaturdifferenz von rd. 350 K. Für 800 W Verlustleistung müßte das Gehäuse einen Wärmeübergangswiderstand von 0,43 K/W besitzen. Das sind Verhältnisse, für die Du aller Wahrscheinlichkeit nach nicht sorgen kannst.
Gruß
Wolfgang
Ich will heizen! Ich habe die Leistung des Transis mit der doppelten Sicherheit berechnet. Beheizt soll ganz feinfühlig (in Zehntelgradschritten) mit minimalen Mitteln ein Raum von ca. 200 Kubikzentimetern. Dabei soll weder infrarotes Licht, noch Magnetfelder (Heizwendeln machen das!) oder irgendeine induktive Angelegenheit auftreten, auch keine Mikrowellen. Temperatur einstellbar von 70 bis 140 Grad Celsius. Da bietet sich eine analoge Heizlösung an. Also echte Heizleistung so um die 400 Watt (relativ schnelles Erhitzen ist sinnvoll. Abgesehen von der Luftumwälzung im beheizen Raum und der Wärmeisolation ist jedoch der Heizer das grundsätzliche Element in meiner Arbeit. Peltierelemente sind erstens zu teuer und zweitens schlecht regelbar (zu träge). Mit entsprechender Kühlkörperform ist der Heiz-Transi ideal! Oder eben mehrere Transis, wenn es technisch machbar ist, alle relativ gleich anzusteuern.
Hinweise?
Danke, André
Hallo André
Ich will heizen! Ich habe die Leistung des Transis mit der
doppelten Sicherheit berechnet. Beheizt soll ganz feinfühlig
(in Zehntelgradschritten) mit minimalen Mitteln ein Raum von
ca. 200 Kubikzentimetern. Dabei soll weder infrarotes Licht,
noch Magnetfelder (Heizwendeln machen das!) oder irgendeine
induktive Angelegenheit auftreten, auch keine Mikrowellen.
Temperatur einstellbar von 70 bis 140 Grad Celsius. Da bietet
sich eine analoge Heizlösung an. Also echte Heizleistung so um
die 400 Watt (relativ schnelles Erhitzen ist sinnvoll.
Abgesehen von der Luftumwälzung im beheizen Raum und der
Wärmeisolation ist jedoch der Heizer das grundsätzliche
Element in meiner Arbeit. Peltierelemente sind erstens zu
teuer und zweitens schlecht regelbar (zu träge). Mit
entsprechender Kühlkörperform ist der Heiz-Transi ideal! Oder
eben mehrere Transis, wenn es technisch machbar ist, alle
relativ gleich anzusteuern.
In deinem Fall ist es am besten wenn du mehrere Leistungs FETs nimmst. Die Kristall-Temperatur darf aber nicht über 150°C steigen! Ein Fet hat den Vorteil einer gewissen Eigensicherheit, wenn er heisser wird steigt der Widerstand und der Strom wird automatisch kleiner. Beim Transistor hast du genau das umgekehrte Problem (Hot-Spot) wenn er an einner Stelle heisser wird leitet er dort besser, der Strom wird an dieser Stelle noch grösser, es wird noch heisser ........ und der Kristall fängt zu schmelzen an!
Zudem ist ein FET Spannungs-Gesteuert und die Stromverstärkung somit kein Problem.
Nur solltest du nicht vergessen, dass auch schon ein gerader Draht ein Magnetfeld erzeugt wenn ein Strom durch fliesst.
Evtl. solltest du dir überlegen ob du die Heizung nicht Ausserhalb deiner Kammer anbrigngen willst und die Wärme über Heatpipes in die Kammer leiten willst.
MfG Peter(TOO)