liebe e-techniker,
Ich baue gerade einen Photo-Detektor mit einer Avalanchephotodiode. Es ist der Nachbau einer bereits bestehenden Schaltung:
Die Si Avalanche Diode ist "uber einen Kondensator mit Erde verbunden, zwischen Diode und Kondensator ist noch ein Widerstand mit einem bias von -150V angeschlossen.
Jetzt kann ich einfach die gleichen Werte f"ur Widerstand und Kondensator nehmen wie schon in der bestehnden Schaltung. Mir ist aber gesagt worden, dass gerade bei diesen Dioden (Hamamatsu), die durchbruchspannung von diode zu diode variiert. Ich habe mich also gefragt, ob man die Werte f"ur Kondensator und Widerstand nicht noch optimieren k"onnte, in Abh"angigkeit von der (noch zu messenden) Durchbruchspannung.
Wie geht man denn vor? Ich w"urde mich sehr freuen, wenn ihr mir einen Rat geben k"onntet, bzw ein Buch vorschlagen (da ich gerade in Frankreich bin, vorzugsweise ein englisches, das gibt es dann hoffentlich auch in der B"ucherei).
Gibt es da eine Formel? Welche Gr"ossen muss ich denn als fest voraussetzen? Oder ist das eher ein trial and error prozess?
Da wir hoffen, den Detektor bis auf eine Zeitaufl"osungen von einigen 100 ps zu tunen, sollte nat"urlich alles m"oglichst gut passen.
Vielen Dank f"ur euere Vorschl"age!
Michaela