Ich benötige für eine Schaltung einen Schalt-Transistor, NPN für Ströme bis 2A und mit möglichst niedriger CE-Sättigungsspanung.
Wo kann ich nach solchen Kriterien Bauteile suchen?
Ich benötige für eine Schaltung einen Schalt-Transistor, NPN
für Ströme bis 2A und mit möglichst niedriger
CE-Sättigungsspanung.
Wo kann ich nach solchen Kriterien Bauteile suchen?
kuck mal hier
http://www.us-epanorama.net/searchlinks.html#datasheets
mfg sl
Interessante Site.
Aber leider nicht das dabei, was ich suche.
Es gibt ja von ELV eine Bauteil-Datenbank. Damit kann ich nach Kriterien suchen und finde auch eine ganze Menge passendes. Bloß bekomme ich die Teile alle nirgendwo... :-(
Ich benötige für eine Schaltung einen Schalt-Transistor, NPN
für Ströme bis 2A und mit möglichst niedriger
CE-Sättigungsspanung.
Wo kann ich nach solchen Kriterien Bauteile suchen?
Standardtyp in dieser Leistungsklasse wäre z.B. ein BD437. Niedrige Sättigungsspannung erreichst Du durch erhöhten Basisstrom.
Für niedrige Sättigungsspannung besser geeignet und leichter anzusteuern sind aber MOSFETs z.B. IRFZ44 ( ca. 0.05V bei 2A ).
Jörg
Standardtyp in dieser Leistungsklasse wäre z.B. ein BD437.
Ich habe vorläufig einen BD539 genommen.
Niedrige Sättigungsspannung erreichst Du durch erhöhten
Basisstrom.
Naja, so viel tut sich da aber nicht mehr.
Für niedrige Sättigungsspannung besser geeignet und leichter
anzusteuern sind aber MOSFETs z.B. IRFZ44 ( ca. 0.05V bei 2A
).
Aha! Ich kannte nur FETs mit ca. 2V Sättigungsspannung. Und der niedrige differentielle Widerstand nutzt dann ja auch nix mehr.
Danke für die Tips!
Standardtyp in dieser Leistungsklasse wäre z.B. ein BD437.
Ich habe vorläufig einen BD539 genommen.
Niedrige Sättigungsspannung erreichst Du durch erhöhten
Basisstrom.
Naja, so viel tut sich da aber nicht mehr.
Würde ich nicht sagen. Man kann den Wert so von 0,7V auf unter 0,1V drücken. Allerdings muß der Transistor dann u.U. stark überdimensioniert werden. Unterhalb von 0,7V verhält sich die C-E-Strecke aber wie ein ohmscher Widerstand. In die Sättigung gerät er erst über 0,7V.
Für niedrige Sättigungsspannung besser geeignet und leichter
anzusteuern sind aber MOSFETs z.B. IRFZ44 ( ca. 0.05V bei 2A
).
Aha! Ich kannte nur FETs mit ca. 2V Sättigungsspannung. Und
der niedrige differentielle Widerstand nutzt dann ja auch nix
mehr.
Meinst Du evtl. IGBTs ?
Da sich der MOSFET im eingeschalteten Zustand wie ein ohmscher Widerstand verhält, ist das eigentlich auch keine Sättigungsspannung. Vielmehr ist es der Spannungsabfall am Kanalwiderstand
Jörg
Hallo Jörg
Niedrige Sättigungsspannung erreichst Du durch erhöhten
Basisstrom.
Naja, so viel tut sich da aber nicht mehr.
Würde ich nicht sagen. Man kann den Wert so von 0,7V auf unter
0,1V drücken. Allerdings muß der Transistor dann u.U. stark
überdimensioniert werden. Unterhalb von 0,7V verhält sich die
C-E-Strecke aber wie ein ohmscher Widerstand. In die Sättigung
gerät er erst über 0,7V.
Bei Planar-Transistoren (sind heute praktisch alle Typen) kann man C und E vertauschen. Die Verstärkung wird dabei um etwa den Faktor 10 kleiner aber die C-E Sättigungs-Spannung kommt auf Werte weit unter 0.1V.
MfG Peter(TOO)