Der Transistor und der Basisvorwiderstand ?

Hallo Leute,

warum wird eigentlich ein Transistor ohne einen Basisvorwiderstand beschädigt?

Jede „Kraft“ die dazu in Frage käme einen Transistor zu zerstören - wie eine zu hohe Spannung oder eine zu große Stromstärke etc. - hat einen direkten Bezug zu den Elektronen, oder etwa nicht?
Angeblich sind es sie, die sich in einem Stromkreis bewegen und damit Energie transportieren sollen!
Und eben diese Elektronen erreichen z.B. einen
NPN-Transistor über den Emitter vom Minus-Pol her und damit lange bevor sie an den Basisvorwiderstand geraten!!!

Wieso wird dieser (der Transistor) trotzdem vernichtet???

Ich bin, wie ihr sehen und lesen könnt, ein absoluter Laie auf dem Gebiet und das Ganze klingt für mich ungefähr so plausibel wie der Ratschlag, dass man bei einem starken Westwind alle Fenster auf der Ostseite zumachen soll und nicht etwa die auf der Westseite!!!
Der Vergleich mag zwar hinken aber bitte keine Anspielungen darauf!

Aber vor allem, bitte, bitte keine Links zu anderen Internetseiten die dieses Thema behandeln, weil:

1’tens: 100% der Seiten (inklusive Wikipedia), den technischen Stromfluß behandeln und somit gar nicht meine Frage beantworten!
Sie sind sogar die Ursache für mein Grübeln.

2’tens: 99% der Seiten sind ohnehin „copy & paste“-Ausgaben von Wikipedia (nicht nur in diesem Fall :smile:).

Daher nur nur Ernstgemeintes von Leuten die Sachkundig sind!

Danke im Voraus

PS: Die ganze historisch bedingte Sache mit dem sogennanten „technischen“ Stromfluß und den neuzeitlichen „imaginären“ Defektelektronen ist mir bewusst und trotzdem kommt die wirkliche „Power“ vom Minus-Pol - so habe ich es in der Schule gelernt!

Hallo VegetarischMitFleisch

Die Eingangscharakteristik eines NPN-Transistors bildet sich aus einem PN-Übergang, entspricht also eine Diode in Durchlassrichtung. Transistoren werden bewusst asymetrisch aufgebaut, daraus erfolgt die Stromverstärkung, welche Werte von mehreren 100 annehmen kann. Als Folge davon ist die Basis jedoch nicht für hohe Ströme konstruiert, die Stromdichte würde lokal zu hoch werden und damit würde der Halbleiter zerstört. Wenn man die Basis eines NPN-Transistors mit einer Stromquelle speisen würde, braucht es keinen Basisvorwiderstand. Weil man die Basis aber meistens mir einer Spannung ansteuert, setzt man den Basiswiderstand ein, um so eine Basis-Strombegrenzung zu erreichen.

Für die bipolaren PNP-Transistoren gilt sinngemäss dasselbe, nur fliesst dort der Strom aus der Basis heraus.

Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas