Hi Leute, ich hab mal ne kurze Frage zu ner Rechenaufgabe bzgl Fotolitographie. Die Aufgabenstellung ist wie folgt:
Ein 520 µm (±20µm Toleranz) ist auf beiden Seiten Maskiert. Auf der oberen Seite ist ein 700µm grosses Fenster, auf der unteren ein 70µm grosses (das ganze wird rein 2-dimensional betrachtet). Beide Fenster sind direkt über einander. Nun soll von beiden Seiten nasschemisch anisotrop geätzt werden, um einen Durchbruch herzustellen.
Frage a) Wie lange ist die ätzzeit bei einer ätzrate von 1,1µm / min
Frage b) Kann ein Durchbruch sichergestellt werden?
…
Muss ich jetzt bei Antwort a) einfach die 520µm durch 1,1 µm teilen, das ganze dann noch durch 2 wegen der Doppelseitigen bearbeitung?
und bei b) einfach den Worstcast, also 540µm für die Rechnung benutzen?
Irgendwie kann ich mir nicht vorstellen dass das ganze so simpel von statten geht.
DAnke im vorraus
mfg basti
Nachtrag: es handelt sich um einen Wafer
[Bei dieser Antwort wurde das Vollzitat nachträglich automatisiert entfernt]
Hi Leute, ich hab mal ne kurze Frage zu ner Rechenaufgabe bzgl
Fotolitographie. Die Aufgabenstellung ist wie folgt:
Ein 520 µm (±20µm Toleranz) ist auf beiden Seiten Maskiert.
Auf der oberen Seite ist ein 700µm grosses Fenster, auf der
unteren ein 70µm grosses (das ganze wird rein 2-dimensional
betrachtet). Beide Fenster sind direkt über einander. Nun soll
von beiden Seiten nasschemisch anisotrop geätzt werden, um
einen Durchbruch herzustellen.
Frage a) Wie lange ist die ätzzeit bei einer ätzrate von 1,1µm
/ min
Frage b) Kann ein Durchbruch sichergestellt werden?
…
Hallo,
ich glaube, da fehlt was. Anisotrop heisst, die Ätzrate ist richtungsabhängig, also kann man keine weiteren Berechnungen machen, ohne die Kristallorientierung und die davon abhängigen Ätzraten zu kennen.
Gruss Reinhard
hab mal n bild hochgeladen von der aufgabe:
http://basti.styled.de/wafer.jpg
mfg Basti
hab mal n bild hochgeladen von der aufgabe:
http://basti.styled.de/wafer.jpg
mfg Basti
Hallo Basti,
die von mir vermisste Angabe steckt in „100 orientierter Wafer“, das gibt die Orientierung der Kristallachsen an, wie genau, weiss ich aber auch nicht, ebensowenig, wie bei dieser Kombination von Material und Ätzmittel die Ätzrate von der Richtung abhängt.
Beim isotropen Ätzen, z.B. von Metall, wirkt das Ätzmittel in alle Richtungen und „unterätzt“ daher die Maske, d.h. die Löcher werden grösser als die Maskenöffnungen. Dass bei ausreichender Dauer der Durchbruch erfolgt, steht dabei ausser Frage. Allerdings ist auch in diesem einfachen Fall das Ergebnis noch von vielen Randbedingungen abhängig, wir benützen z.B. zum Ätzen von Leiterplatten hochentwickelte Sprühätzmaschinen - das Sprühen bewirkt, das die Ätzung senkrecht zur Oberfläche schneller voranschreitet; dadurch wird die Unterätzung geringer. Das ist so gesehen auch eine Art von anisotropem Ätzen.
Im Prinzip sieht das Ergebnis dann so aus:
Maske ########## #########
+++++++ ++++++
Cu ++++++++ +++++++
+++++++++ ++++++++
Substrat ==========================
Beim chemical milling (Herstellung von mechanischen Teilen durch Ätzen) stünde anstelle des Substrats spiegelbildlich die andere Seite des zu ätzenden Materials.
Wie sich diese Geometrie beim anisotropen Ätzen ändert, kann ich dir in dem speziellen Fall leider auch nicht sagen. Im Idealfall wäre die Ätzrate senkrecht zur Oberfläche sehr hoch und parallel zur Oberfläche möglichst Null, dann würden Löcher entstehen mit der Grösse der Maskenöffnungen und annähernd senkrechten Wänden.
Gruss Reinhard
