Fragen zu ISS

Auto, Rad & Mobilität Luft- & Raumfahrt
#21

noch eine kleine Korrektur !!
Hallo R o b. ,

Aber Dein Hinweis ist insofern sehr interessant, als ein FET
in der Chiptechnologie von den Schaltzeiten her viel
interessanter wäre; dumm nur, daß bei der üblichen
Packungsdichte der Feldeffekt von einem auf den anderen
Transistor übersprechen würde…

Tut mir echt leid, aber …

Heute werden die meisten IC mit Feldeffekt-Transistoren hergestellt !

Am Anfang wurden Haupsächlich Junction-FET hergestellt, bei denen das Gate, also die Steuerelektrode, durch einen Diodenübergang vom Kanal isoliert wurde. Dies hatte Hauptsächlich technologische Gründe, weil sich das Herstellungsverfahren nicht vom damaligen Herstellengungs für Planar-Transistoren unterschied.
Heute werden fast nur noch MOS-FET hergestellt bei welchen das Gate durch eine Schicht Siliziumdioxid isoliert wird. Dabei ist heute das grösste Problem, dass bedingt durch die heutigen Strukturgrössen, 0.13 µm sind schon normal, die örtlich auftretenden Feldstärken so gross werden, dass schon bei einigen Volt durchschläge auftreten. Unter anderem aus diesem Grund werden heutige PC-CPUs auch nur noch mit 1.5-1.75 Volt (Corespannung) betrieben.

MfG Peter(TOO)
P.S. Ich sollte solche Dinge wissen, da ich die Elektronik von Grund auf gelernt habe.

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#22

Für mich klingt die Frage von Fritz so, als ob da ein
gerüttelt Mass an Forschungsfeindlichkeit dahinter steckt.

lieber Rabauke,

man kann meinetwegen nie genug Geld aufbringen für einfachere Forschung wie;
Aids,Krebs,Alzheimer, Psoriasis, Grippe, Schnupfen etc.

Ursachenforschung; Säuglingstod

Ursachenforschung; Baumsterben

Ursachenforschung; Terrorissmus

nicht vergessen; Endlagerung Atommüll, oder will man dieses Problem den nächsten 50 Generationen überlassen ?

Gruss
Fritz
a.d.Uw.

#23

Mike,
vielen Dank
Die ganze Aufregung geht mir zu hoch hinaus…
da bleib ich lieber auf festem Boden „grins“

Gruss
Fritz
a.d.Uw.

#24

Stimmt…

Heute werden die meisten IC mit Feldeffekt-Transistoren
hergestellt !

Am Anfang wurden Haupsächlich Junction-FET hergestellt, bei
denen das Gate, also die Steuerelektrode, durch einen
Diodenübergang vom Kanal isoliert wurde. Dies hatte
Hauptsächlich technologische Gründe, weil sich das
Herstellungsverfahren nicht vom damaligen Herstellengungs für
Planar-Transistoren unterschied.
Heute werden fast nur noch MOS-FET hergestellt bei welchen das
Gate durch eine Schicht Siliziumdioxid isoliert wird. Dabei
ist heute das grösste Problem, dass bedingt durch die heutigen
Strukturgrössen, 0.13 µm sind schon normal, die örtlich
auftretenden Feldstärken so gross werden, dass schon bei
einigen Volt durchschläge auftreten. Unter anderem aus diesem
Grund werden heutige PC-CPUs auch nur noch mit 1.5-1.75 Volt
(Corespannung) betrieben.

Ich habe gerade noch einmal in dem Buch nachgesehen, das mir seinerzeit als Quelle diente (Baumann, Betz, Beuth u. a., „Fachkenntnisse Elektrotechnik - Nachrichtentechnik“, Hamburg, 1984). Darin ist über einen längeren Absatz von PN-FETs die Rede die später nur noch als FETs bezeichnet werden und hier heißt es: „In der Mikrochiptechnologie finden sie [FETs] jedoch keine Anwendung, da das vom Gate ausgehende E-Feld laterale Einflüsse auf Nachbarbauteile ausübt.“ Weiter hinten aber heißt es dann aber zu den MOS-FETs, wie Du auch festgestellt hattest: „MOS-FETs werden überwiegend in Integrierten Schaltungen (IS) aufgebaut […]. Ein besonderer Vorteil ist der sehr große Eingangswiderstand und die dadurch bedingte leistungslose Steuerung.“
Naja, an dem Erscheingungsdatum und der Abkürzung „IS“ erkennst Du, daß meine Informationen hierüber in der Tat viel zu alt und leider auch rudimentär sind. Asche auf mein Haupt.
Nu weiß ick aba bescheid ;o)

P.S. Ich sollte solche Dinge wissen, da ich die Elektronik von
Grund auf gelernt habe.

I see, thanx a lot…

Grüße
R o b.

#25

Hallo R o b.,

Ich habe gerade noch einmal in dem Buch nachgesehen, das mir
seinerzeit als Quelle diente (Baumann, Betz, Beuth u. a.,
„Fachkenntnisse Elektrotechnik - Nachrichtentechnik“, Hamburg,
1984). Darin ist über einen längeren Absatz von PN-FETs die
Rede die später nur noch als FETs bezeichnet werden und hier
heißt es: „In der Mikrochiptechnologie finden sie [FETs]
jedoch keine Anwendung, da das vom Gate ausgehende E-Feld
laterale Einflüsse auf Nachbarbauteile ausübt.“

Dieses Buch scheint aber damals schon etwas alt gewesen bzw. da es mehr auf Elektro- und Übertragungstechnik ausgerichtet ist wurde die „Halbleiterei“ nicht so ausführlich behandelt.

Junction- oder zu deutsch Sperrschicht-FETs wurden so ab mitte der 60er Jahre fabriziert.
Die CD4000er (Logik-Familie) wurde von RCA ende der 60er auf den Markt gebracht und war bereits in CMOS ausgeführt. Auf Grund der damaligen Strukturgrössen (10-5µm) waren die Gate-Kapazitäten sehr gross und die Gatter dadurch sehr langsam.

Weiter hinten
aber heißt es dann aber zu den MOS-FETs, wie Du auch
festgestellt hattest: „MOS-FETs werden überwiegend in
Integrierten Schaltungen (IS) aufgebaut […]. Ein besonderer
Vorteil ist der sehr große Eingangswiderstand und die dadurch
bedingte leistungslose Steuerung.“

Statisch stimmt das schon mit der leistungslosen Ansteuerung, aber die Gate-Kapazitäten müssen umgeladen werden. Dadurch steigt die Ansteuerleistung direkt proportional mit der Frequenz an.

Asche auf mein Haupt.

Nu weiß ick aba bescheid ;o)

Das mit der Asche finde ich nicht nötig. :wink:
Viel wichtiger im Leben ist, dass man Lernfähig ist !!

MfG Peter(TOO)

#26

Erzeugt die Raumfahrt Schrott, so ist es
ihre Sache, diesen zu beseitigen.

Das Teleskop ist genauso wenig von der Raumfahrt gebaut worden, wie die Post Deine Briefe schreibt. Sie hat das Ding nur hoch geschafft und repariert.

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#27

Was erwartet man noch für Vorteile für uns Menschen, in
nächster Zukunft, mit diesem kostspieligen Experiment ?

bin leider kein fachmann, aber die frage befluegelt die phantasie…

ich persoenlich, denke, dass dort oben die grundlagen fuer „ganz viele teflons“ geklärt werden. immerhin hat uns die raumfahrt satelliten-tv, satelliten telefon, gps ermoeglicht.

vielleicht zuechtete man kristalle, auf denen man viel einfacher viel mehr daten speichern kann, oder man baut irgendwann dort oben irgendwelche neckischen nano-dingsbums, mit denen man supertolle palmtops bauen kann.

vielleicht werden dort oben die grundlagen fuer die loesung unserer energieprobleme geklaert, villeicht gibt es auf mond und mars riesige vorkommen an bodenschaetzen, mit denen man endlich vernuenftige nichtspiegelnde bildschirme bauene kann.

und letzenendes ist es keine schlechte sache seinen horizont zu erweitern. und der muss ja da oben ziemlich grenzenlos sein…

nur mal so ganz naiv gedacht…

#28

Viele nützliche Dinge sind „Abfallprodukte“ einer Forschung in
einem anderen Bereich. Soll heissen, dass die Forschung im
Zusammenhang mit der ISS uns sicherlich Ergebnisse bringt, zu
Problemen an deren Lösung die Forscher eigentlich gar nicht
dachten.

Ganu richtig. Oder wer hätte gedacht, dass die Photozelle, die früher wie auch heute noch in Belichtungsmessern drin waren/sind eigentlich entwickelt wurde, um die kinetischen Energien von Lichtquantenteilchen experimentell zu messen.

Chris

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