Hallo zusammen!
Ich versuche gerade eine Schaltung zu optimieren.
Es geht um einen Schaltregler mit zwei MOSFETS in Synchronschaltung.
Ich hatte zunächst Gatewiderstände eingebaut (10 Ohm). Nachdem ich die überbrückt hatte, war die Wärmeentwicklug wesentlich geringer. Offenbar wurde das Gate nicht schnell genug ausgeräumt, so dass kurzzeitig beide Transitoren leitend waren.
Nun meine ich aber, mich dunkel zu erinnern, dass Gatewiderstände auch zum Schutz des FETs dienen. Da war irgend etwas mit der Anstiegsgeschwindigkeit der Gatespannung. Kann mir jemand einen Tipp geben? Das passende Stichwort dürfte mir schon weiter helfen.
Vielen Dank!
Gruß,
Arndt
Hallo Arndt,
Ich hatte zunächst Gatewiderstände eingebaut (10 Ohm). Nachdem
ich die überbrückt hatte, war die Wärmeentwicklug wesentlich
geringer. Offenbar wurde das Gate nicht schnell genug
ausgeräumt, so dass kurzzeitig beide Transitoren leitend
waren.
Wohl nicht nur, die Flanken werden auch steiler …
Aber wie sieht es jetzt EMV-Mässig aus ???
Nun meine ich aber, mich dunkel zu erinnern, dass
Gatewiderstände auch zum Schutz des FETs dienen. Da war irgend
etwas mit der Anstiegsgeschwindigkeit der Gatespannung.
Das Problem ist da der Bonddraht, bzw. die Verdrahtung auf dem Chip. Irgendwo im Datenblatt müsste der maximale Gatestrom angegeben sein.
MfG Peter(TOO)
Hallo Peter!
Wohl nicht nur, die Flanken werden auch steiler …
Ja sicher. Das meinte ich eigentlich, die leiten beide „so’n bisschen“.
Aber wie sieht es jetzt EMV-Mässig aus ???
Keine Ahnung. Mir ist klar, dass das ein anderes Argument für Gatewiderstände ist.
Das Problem ist da der Bonddraht, bzw. die Verdrahtung auf dem
Chip. Irgendwo im Datenblatt müsste der maximale Gatestrom
angegeben sein.
Das ist echt alles?
Für meine FETs habe ich jedenfalls keine Angabe dazu gefunden.
Gruß,
Arndt
Hallo Arndt,
Ich versuche gerade eine Schaltung zu optimieren.
Es geht um einen Schaltregler mit zwei MOSFETS in
Synchronschaltung.
Ich hatte zunächst Gatewiderstände eingebaut (10 Ohm). Nachdem
ich die überbrückt hatte, war die Wärmeentwicklug wesentlich
geringer. Offenbar wurde das Gate nicht schnell genug
ausgeräumt, so dass kurzzeitig beide Transitoren leitend
waren.
Deshalb fügt man bei Gegentaktschaltungen in der Leistungselektronik immer eine Totzeit ein, in der beide Transistoren für z.B. einige 100 nS gesperrt bleiben. Alternativ kannst Du aber auch die Gatewiderstände etwas hochohmiger wählen und jeweils parallel dazu eine Diode mit niederohmigen Widerstand in Serie schalten. Die Dioden müssen dann jeweils so geschaltet werden, dass jedes Gate hochohmig aufgeladen (jeweils bezüglich Source) und niederohmig entladen wird. Bei kleineren Leistungen ist das meistens völlig ausreichend.
Nun meine ich aber, mich dunkel zu erinnern, dass
Gatewiderstände auch zum Schutz des FETs dienen. Da war irgend
etwas mit der Anstiegsgeschwindigkeit der Gatespannung. Kann
mir jemand einen Tipp geben? Das passende Stichwort dürfte mir
schon weiter helfen.
Die Gatewiderstände dienen der Unterdrückung von HF-Schwingungen, zu denen MOSFETs während der Umschaltphase gerne neigen. Deshalb müssen auch parallelgeschaltete MOSFETs mit je einem Gatewiderstand pro FET ausgestattet werden. Die Schwingungen sind nicht nur EMV-kritisch sondern können auch zu massiven Fehlfunktionen oder gar Zerstörung der Transistoren führen. Ob bei fehlenden Gatewiderständen tatsächlich Schwingungen auftreten, hängt auch sehr stark vom Schaltungs- und Leiterbahndesign ab, ist also grundsätzlich nicht vorhersagbar.
Jörg