Brauche Unterstützung und zwar für folgende Lösung:
Ein Emitterfolger ist an einer Emitterstufe galvanisch gekoppelt, mit
Spannungsteiler für Basis T1 und für Basis T2.
Der Ausgang ist ohmisch und kapazitiv belastet.
Frage:
Wie berechnet man für jede einzelne Stufe die obere Grenzfrequenz?
Danke für Euere Hilfe
Karl
Hallo Karl,
fg von T1 (Emitterfolger) ist >> fg T2. Damit wird die Grenzfrequenz der gesamten Schaltung durch fg von T2 bestimmt. Bei T2 wird das Signal am Kollektor abgenommen. Dynamisch liegt der Kollektorwiderstand dem Lastwiderstand parallel. Aus der Parallelschaltung dieser Widerstände mit dem dynamischen Gesamtwiderstand Rges ergibt sich die obere Grenzfrequenz
fg = 1 / 2Pi x Rges x CL .
Für eine Abschätzung/Berechnung der (sehr großen) fg des Emitterfolgers brauchst Du B (besser beta) des Transistors. Der Arbeitswiderstand (Gesamtwiderstand aller ohmschen Widerstände im Emitterkreis) wird dynamisch um den Faktor B verkleinert. Dieser verkleinerte Arbeitswiderstand ergibt zusammen mit einer in der Schaltung gegebenen Kapazität die Grenzfrequenz des Emitterfolgers, wieder mit fg = 1 / 2 Pi R x C.
Diese Rechnerei wird an der oben ermittelten Grenzfrequenz für die Ausgangsstufe nichts mehr ändern.
Gruß
Wolfgang