Halbleiter

Hallo,

ich habe ein kleines Verständigungsproblem was Halbleiter oder besser gesagt, dotierte Halbleiter angeht.
Dotierte Halbleiter bestehen ja im Gegensatz zu „normalen“ Halbleitern noch aus Fremdatomen. Dabei gibt es die p-dotierten und n-dotierten Halbleiter.
Ich weis auch, dass ein p-dotierter Halbleiter einen Elektronenmangel hat und dadurch positiv geladen ist.
Meine Frage bzw mein Verständigungsproblem: wieviel solcher Löcher hat ein solcher Halbleiter? Ist ja bestimmt von dem Stoff abhängig, den ich zum dotieren verwende. Aber können es innerhalb eines Halbleiters mehr Löcher (bzw. für den anderen Fall mehr Elektronen) werden indem ich den Halbleiter erhitze oder ich da strom durchführe?

Wenn ich den Halbleiter habe z.B. einen Draht und den auf einer seite erhitze so habe ich verstanden, dass die elektronen alle auf die kalte Seite „wandern“. Was wenn ich zwei verschiedene Halbleiter miteinander gekoppelt habe? Dann wandern ja die Elektronen auch, aber können es wie gesagt mehr oder weniger werden? Kann es mal passieren, dass die Elektronen alle werden?

Was heist es ist ein dynamisches Gleichgewicht vorhanden? Heisst es, je nachdem welchen Stoff ich zum dotieren genommen habe hab ich ein oder zwei löcher bzw. ein oder zwei Elektronen zuviel und das ständig, nur mit der Frage wo?

Vielen Dank für die Unterstützung,
MfG Stefanie

Hallo,

ich habe ein kleines Verständigungsproblem was Halbleiter oder
besser gesagt, dotierte Halbleiter angeht.
Dotierte Halbleiter bestehen ja im Gegensatz zu „normalen“
Halbleitern noch aus Fremdatomen. Dabei gibt es die
p-dotierten und n-dotierten Halbleiter.
Ich weis auch, dass ein p-dotierter Halbleiter einen
Elektronenmangel hat und dadurch positiv geladen ist.

Das ist so nicht richtig. Ein dotierter HL (egal ob p- oder n-) ist grundsätzlich nicht geladen. Es wird ja mit Atomen nicht mir Ionen dotiert. D.h. das eingebrachte Fremdatom ist nach außen elektrisch neutral, es hat genausoviele Elektronen wie Protonen.

Was beim Dotieren passiert: Ein Fremdatom wird in das Siliziumgitter eingebaut, und dieses Fremdatom hat eine Bindungsmöglichkeit weniger oder mehr als das Si. Da das Fremdatom im Si-Gitter eingebaut ist, werden vier Bindungen benötigt. In einem Fall „hängt“ ein Elektron ungebunden rum, und steht nun dem Ladungstransport zur Verfügung, das ist dann die Elektronenleitung.
Im anderen Fall ist ein Elektron zu wenig, das Fremdatom hat nur drei Bindungsmöglichkeiten. D.h. an einer Stelle (wo das Fremdatom sitzt) hat das Si-Gitter ein Elektron zu wenig. An einer benachbarten (eigentlich abgesättigten) Bindung wird ein Elektron „gestohlen“. Dieses „Stehlen“ zieht sich durch das ganze Gitter. Von oben betrachtet sieht es so aus, als ob ein „Loch“ durch das Gitter wandert. Dieser Effekt wird als „Löcherleitung“ bezeichnet.

Meine Frage bzw mein Verständigungsproblem: wieviel solcher
Löcher hat ein solcher Halbleiter?

Wie oben erwähnt, ein Fremdatom erzeugt ein Loch. (im Normalfall)

Ist ja bestimmt von dem
Stoff abhängig, den ich zum dotieren verwende. Aber können es
innerhalb eines Halbleiters mehr Löcher (bzw. für den anderen
Fall mehr Elektronen) werden indem ich den Halbleiter erhitze
oder ich da strom durchführe?

Nein, aber die Beweglichkeit der Elektronen wird vergrößert, und dadurch natürlich auch die „Beweglichkeit der Löcher“

Wenn ich den Halbleiter habe z.B. einen Draht und den auf
einer seite erhitze so habe ich verstanden, dass die
elektronen alle auf die kalte Seite „wandern“. Was wenn ich
zwei verschiedene Halbleiter miteinander gekoppelt habe? Dann
wandern ja die Elektronen auch, aber können es wie gesagt mehr
oder weniger werden? Kann es mal passieren, dass die
Elektronen alle werden?

Diesen Gedanken verstehe ich nicht ganz.

Was heist es ist ein dynamisches Gleichgewicht vorhanden?
Heisst es, je nachdem welchen Stoff ich zum dotieren genommen
habe hab ich ein oder zwei löcher bzw. ein oder zwei
Elektronen zuviel und das ständig, nur mit der Frage wo?

Hmm, ich weiß nicht genau, was du mit dynamischen Gleichgeweicht bezeichnest, aber…

Die Anzahl der Löcher kann nur durch die Menge der eingebrachten Fremdatome verändert werden. Und wie oben beschrieben, ein „Loch wandert“, indem immer ein Elektron aus einer Bindung in ein benachbartes Loch „springt“ und damit an der ursprünglichen Stelle ein Loch „erzeugt“. Wenn die Temperatur steigt, dann ist die Beweglichkeit der Elektronen größer, d.h. pro Zeiteineit springen mehr Elektronen, aber natürlich kann ein Elektron immer nur springen, wenn in der Nachbarschaft ein Loch besteht.

Gerhard

Vielen Dank für die Unterstützung,
MfG Stefanie

Hallo,

vielleicht hilft dir auch dieser link weiter:

http://www.halbleiter.org/

Dort werden die Grundlagen erklärt, sowohl allgemeines zur Atombindung, als auch zu Halbleitern und deren Dotierung.

Für weitere Erklärungen wäre es gut zu wissen, für welchen Wissenstand die Antworten sein sollten.

Gerhard

Hi!

Meine Frage bzw mein Verständigungsproblem: wieviel solcher
Löcher hat ein solcher Halbleiter? Ist ja bestimmt von dem
Stoff abhängig, den ich zum dotieren verwende. Aber können es
innerhalb eines Halbleiters mehr Löcher (bzw. für den anderen
Fall mehr Elektronen) werden indem ich den Halbleiter erhitze
oder ich da strom durchführe?

Dotiert werden Halbleiter mit 3-wertigen Atomen (für p) oder 5-wertigen Atomen (für n). Die Dotierungskonzentration ist tatsächlich ein sehr sehr wichtiger Parameter in der Herstellung und bestimmt empfindlich die Eigenschaften. Typische Werte liegen bei 10^13 bis 10^20 Fremdatome pro Kubikzentimeter. 10^20 ist schon extrem viel und führt - wenn man nicht sehr gut aufpasst - zu Fehlstellungen des Gitters. Wenn ein „leerer“ Waver am Anfang der Produktion steht, ist er meistens mit einer Basisdotierung von ca. 10^12 dotiert. Diese Zahlen gelten für Silizium-Prozesse.

Da die Löcher-/Elektronen-Konzentration ja ausschließlich von der Konzentration der Fremdatome abhängt, und sich letztere nicht mit der Temperatur ändern kann, kann sich auch die Anzahl der Löcher/Elektronen nicht mit der Temperatur ändern. Außer du machst es sooo heiß (mehrere hundert °C) dass die Fremdatome wieder rausdiffundieren. :smile: Bei hoher Temperatur nehmen aber die Gitterschwingungen im Halbleiter zu. Je nach Temperatur kanns dabei zu einer Erhöhung und auch zu einem Absinken der Elektronen-/Löcherbeweglichkeit kommen.

Bye
Hansi

Hallo Gerhard,

vielen Dank für Deine Unterstützung und die nützliche Information. Warum ich das ganze wissen wollte, ich habe mich mal mit den Peltier-Elementen ein bisschen auseinander gesetzt. Man hört ja da die unterschiedlichsten Meinungen, ob sich denn nun sowas lohnt oder nicht, und aus dem Grund bin ich auf die Halbleiter gestossen und eben den Elektronenfluss und da hat es mich interessiert, wie es denn überhaupt dazu kommt, dass eine seite kalt und die andere warm werden kann. Und es ist ja durch die Halbleiter begründet und deswegen hab ich dort mal weiter recherchiert, woran das liegt. Aber hatte da wie gesagt, einige Probleme, das so recht zu verstehen.

Und bei dieser Recherche kam wie gesagt auch das Beispiel, dass man sich einen Draht vorstellen soll. An einer Seite hält man eine Flamme drunter und durch diese Erwärmung, wandern dann die ganzen Elektronen von der Seite wo man die Flamme darunter hält auf die „kalte“ Seite, bzw. an das andere Ende des Drahtes.

Auf jeden Fall hatte ich es immer so verstanden, dass halt durch den Stromfluss, die Anzahl der Löcher erhöht wird und nicht, dass es immer gleich viele sind.
Deswegen habe ich mich auch gefragt, wenn die Anzahl der Löcher steigt (beim wandern), wird ja auch die Anzahl der Elektronen wandern und kann es da vorkommen, dass es auch mal keine Elektronen mehr gibt, die wandern können, weil sie alle „weg“ sind.

Vielen Dank,
Steffi