Welche physikalische Ursache haben die Sperrschicht- und die Diffusionskapazität, wo sind jeweils die gespeicherten Ladungen lokalisiert?
Das ist die Frgestellung die ich bearbeiten soll! Leider finde ich im Beuth (Bauelemente 2) und Tipler nichts dazu! Wer weiß eine kurze Erklärung zur Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität?
Ich hab leider keine Ahnung davon, möchte das aber gerne Verstehen! Wer kann mir helfen,
Hein
PS: Danke!
Hallo meinloggin,
(Kann es sein, dass du geglaubt hast der Login-Name taucht sonst nirgends auf?)
Welche physikalische Ursache haben die Sperrschicht- und die
Diffusionskapazität, wo sind jeweils die gespeicherten
Ladungen lokalisiert?
Ganz einfach: In der Diode sind Dotierstoffe, also Atome, die entweder ein Elektron zuviel haben (n-dotiert) oder eines zuwenig bzw. ein „Loch“ zuviel (p-dotiert).
Legt man jetzt an die Diode eine Sperrspannung an, also +Pol an die n-Seite und -Pol an die p-Seite, so werden die Elektronen von den n-dotierten Atomen zum +Pol gesaugt
und es bleibt ein postiv geladenes Ion übrig. Ebenso werden die Löcher von den p-dotierten Atomen zum -Pol gesaugt und es bleibt ein negatives Ion übrig.
Es ensteht eine Raumladungszone mit Ladung Q.
Also: Bei Anlegen einer Spannug U entsteht eine Raumladung Q und das definiert eine Kapazität C=Q/U.
Gruß
Oliver
Danke, das stimmt! Auch wenn es nicht das war was ich brauchte, es hat sich inzwischen erledigt! Trotzdem danke!