High Side

Technik Elektronik & Elektrotechnik
#1

Hallo miteinander.

Beim Schalten von H Side Mosfets mit bootstrap Methode wie groß sollte man den Kondensator wählen bzw.wie genau berechnen für eine Schaltfrequenz die dann von ca. halbe sec. bis 5K hochfährt.
Ist es nachteilig, wenn man größere Werte nimmt? Z.B ich habe erst nur probeweise (auf gerate wohl) mit fünf nano eine Glühbirne zu schalten versucht jetztmal ohne Takt, natürlich konnte ich dabei die Birne nich voll aufleuchten sehen (das sagt aber nicht viel) aber mit zehn nano schon merklich lang ca. für die gewünschte halbe sec, und mit Multimeter auch die volle Spannug noch gerade gezeigt bekommen.
Ich habe leider keine andere Messmöglichkeiten:smile:.

Gruß

Balazs

#2

Hallo Balazs,

Beim Schalten von H Side Mosfets mit bootstrap Methode wie
groß sollte man den Kondensator wählen bzw.wie genau berechnen
für eine Schaltfrequenz die dann von ca. halbe sec. bis 5K
hochfährt.
Ist es nachteilig, wenn man größere Werte nimmt?

Das hängt von vielen Parametern ab.

Da wären zuerst einmal die Ladespannung und die minimale benötgte Spannung am Gate, letztere sollte ja nicht unterschritten werden.
Dann wären da noch die ganzen Leckströme, welche dein C auch noch entladen.
Zusammen mit den Schaltzeiten kannst du dann mal dein minimales C berechnen.

Dann hast du aber noch das Problem, dass du dein C auch laden, und je ach Schaltung auch entladen, musst. Zu grosse Cs erzeugen dann recht hohe Spitzenströme, welche deine Schaltung verkraften muss.

Für genauere Aussagen, müsste man die Schaltung kennen.

Du solltest auch Formeln in den Datenblättrn entsprechender ICs finden können.

MfG Peter(TOO)

#3

Hallo,

Da wären zuerst einmal die Ladespannung und die minimale
benötgte Spannung am Gate, letztere sollte ja nicht
unterschritten werden.

Bei den höheren Schaltfrequenzen ist das C vom Gate zu berücksichtigen. Das gibt zusammen mit dem möglichen Strom, abhängig von Spannung und deren Innenwiderstand dann die Schaltgeschwindigkeit. Einfach Spannung allein reicht nicht.
Gruß
loderunner

#4

Hallo,

Beim Schalten von H Side Mosfets mit bootstrap Methode wie
groß sollte man den Kondensator wählen bzw.wie genau berechnen
für eine Schaltfrequenz die dann von ca. halbe sec. bis 5K
hochfährt.

So groß, dass die Spannung bei der niedrigsten Frequenz noch
stabil steht.
Ich nehme bei so was aber am liebsten einen kleinen
DCDC-Wandler, um die Gatespannung für den High-Side-FET
zuverlässig zu haben. Da bist du vom Takt komplett
unabhängig und kannst sogar statisch schalten.

Ist es nachteilig, wenn man größere Werte nimmt? Z.B ich habe
erst nur probeweise (auf gerate wohl) mit fünf nano eine
Glühbirne zu schalten versucht jetztmal ohne Takt, natürlich
konnte ich dabei die Birne nich voll aufleuchten sehen (das
sagt aber nicht viel) aber mit zehn nano schon merklich lang
ca. für die gewünschte halbe sec,

Na dann nimm halt 47nF oder 100nF, da wird es wohl
zuverlässig laufen.
Gruß Uwi

#5

Hallo,

Danke Euch.
War leider nicht imstande rechtzeitig zu antworten.

So groß, dass die Spannung bei der niedrigsten Frequenz noch
stabil steht.

Ja klar.

Ich nehme bei so was aber am liebsten einen kleinen
DCDC-Wandler, um die Gatespannung für den High-Side-FET
zuverlässig zu haben. Da bist du vom Takt komplett
unabhängig und kannst sogar statisch schalten.

Habe auch einen mit NE555 zusammenschuhstern versucht:smile:
Dachte aber ich versuche das auch ohne. Die Schaltung muss nur sehr selten und dann auch für paar sec. funken (einen Motor kurz hochzufahren)

Da die Frequenz hochfährt habe ich nur beim Anlauf bedenken gehabt.
Jetzt habe ich mit 100 probiert und damit lauft immer und sicher an.

Wenn es um was immer laufendes gegangen wäre hätte ich richtige Treiber besorrgt.

Aber ich wolte dabei auch was lernen:smile:

Also nochmal Danke.

Gruß

Balazs