Hallo!
Ich schreibe in nächster Zeit eine Klausur, in der auch MOSFET-Aufgaben gestellt werden.
Ich habe schon überall nachgesehen, doch ich komme nicht auf eine Lösung.
Wer kann mir Hilfestellung bei der Lösung einer Beispielaufgabe geben und kurz den Ansatz oder Lösungsweg erklären? Es geht dabei um die Bestimmung des Ausgangskennlinienfeldes anhand einer vorgegebener Schaltung.
Der folgende Link führt zur Beispielaufgabe:
http://www.planetnatus.com/temp/ele.jpg
Es wäre nett, wenn sich jemand finden würde, der sich mit diesem theoretischen Kram noch auskennt.
Danke schonmal im Voraus.
Sören
Hallo Sören,
a) Schau dir mal das kleine Pfeilchen am FET an !!
b) bin ich jetzt zu faul umd das zu rechnen. Zudem brauchst du dazu noch das Datenblatt des IRF150.
c) mit einen idealen FET und ohne den blöden R4, welcher benötigt wird um den Arbeitspunkt zu erhalten, wäre der ideale Arbeitspunkt von „out“ bei 2.5V. Dann hättest du für die positive und die negative Halbwelle je 2.5V zur Verfügung, leider nur mit einem idealen FET.
Aber leider hast du da den Spannungsabfall an R4 und am angesteuerten FET, welche grösser als 0V ist.
d) R4 und C2 bilden einen Tiefpass. Für Wechselspannung ist der Wechselstromwiederstand von C4, bei der entsprechenden Frequenz wichtig. Du kannst für deine Überlegungen C2 durch eine Spannungsquelle mit der Ruhespannung (477.48V bei der angegeben Dimensionierung) und dem Wechselstromwiederstand von C4 ersetzen.
MfG Peter(TOO)
Hallo Peter!
Danke erstmal für deine schnelle Antwort und die Hilfestellungen.
b) bin ich jetzt zu faul umd das zu rechnen. Zudem brauchst du
dazu noch das Datenblatt des IRF150.
Leider muss man das ohne Datenblatt ausrechnen. Es soll alles in der Schaltung gegeben sein.
Und ich weiss beim besten Willen nicht, wie man dann auf die Lösung kommen soll.
c) mit einen idealen FET und ohne den blöden R4, welcher
benötigt wird um den Arbeitspunkt zu erhalten, wäre der ideale
Arbeitspunkt von „out“ bei 2.5V. Dann hättest du für die
positive und die negative Halbwelle je 2.5V zur Verfügung,
leider nur mit einem idealen FET.
Aber leider hast du da den Spannungsabfall an R4 und am
angesteuerten FET, welche grösser als 0V ist.
Das ist eben das Problem (R4).
Da setzt mein Vorstellungsvermögen einfach aus.
Trotzdem danke für die Mühen.