Trulala und hallo.
Mal wieder eine meiner Spezialfragen 
…
Wir haben uns gerade frisch über den IGBT hergemacht;
Der halbleiterphysikalischen Aufbau ist klar, doch jetzt lautet eine Aufgabe „Welche halbleiterphysikalischen Vorgänge ereignen sich beim Einschalten und Abschalten des IGBT?“. Ich meine, dort einmal was mit Miller-Plateau gehört zu haben, weiß aber auch nicht so recht weiter. Kann mir jemand helfen? Würde mich über so gute Antworten wie bei meinem letzten Problem freuen. 
MfG
Huhu, das sind doch die Darlington wie sin in alten FU eingesetzt werden. Wollte da letztens einen Frequnzumrichter mit bauen.
Ich kann dir flink mal schrieben was mir spontan einfällt.
Kann aber auch sein das es total falsch ist was ich hier schreib, hoffe es hilft dir jeoch.
Ich glaube der wirkt PTP, also der Drainstrom veringert sich bei erwärmung und natürlich bei der Ansteuerung im Maximalbereich.
Die Stromanfälligkeit des Wiederstandes ist damit nicht so schön KKonstant wie bei einen MosFet.
Die Diode hat auch einen extram hohen Spannungsabfall zwischen Source und Drain. Das Teil kannst du nur für höhere Spannungen einsetzen.
Das ist von dir erwähnte Miller Effekt. Beim einschalten verändert sich die Eingangskapazität. Der Abgeflachte Teil der Spannung die du da messen kannst wirt dann Palteau gennat. Also dies dann Miller-Plateau.
Da vom Diodenstrom, also vom Drain zur Source, der Risetime abhängig ist, ergeben sich hier starke verzögerungen. Bei einen gorssen Poermos liegen diese ja bei so 10-30ns. Hier dadgengen kommst du teils schon fast auf die ys.
Daraus ergibt sich, je höher der Schaltsrom desto höher die Schaltzeiten.
Darus ergibt sich das bei hoher Last bei höheren Frequenzen auch hohe Schwingungen zwischen ein und Ausschalten auftreten.
Jetzt kannst du hier nicht einfach wie beim MosFet durch einen wiederstand oder eien Diode den Drainstrom reduzieren.
Da sich bei einer Parellschaltung die Schwingungen aufschaukeln und du den Drainstrom nicht reuzieren kannst, ist also eine parellschaltung zur Leistungerhöhung schwer möglich.
So mehr weiss ich dazu jetzt nicht, meine Verstärkertechnik (Telekommunikationstechniker) ist schon 15 Jahre her.
Kann aber auch sein das dies hier flasch ist, müsste mich mal wieder in das Thema einlesen.
Hoffe es bringt dich zu deiner Antwort.
Grüsse
[Bei dieser Antwort wurde das Vollzitat nachträglich automatisiert entfernt]
Hallo zoomi,
IGBT heißt ‚Insulatet Gate Bipolar Transistor‘ (http://de.wikipedia.org/wiki/IGBT oder http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_i…) und hat mit einem Darlington (http://de.wikipedia.org/wiki/Darlington-Schaltung) leider gar nichts zu tun.
Gruß
loderunner
H wie Hola.
Ein bißchen schon. Das einfache Ersatzschaltbild ist ein nFET als Eingangstransistor und ein pnp als Schalttransistor in Darlingtonschaltung (sofern man den parasitären Thyristor vernachlässigt).
Das wird er aber wohl nicht gemeint haben …
Wiki ist trotzdem für meine Frage 'mal wieder viel zu oberflächlich und knapp. 
MfG
Hallo loderunner,
IGBT heißt ‚Insulatet Gate Bipolar Transistor‘
(http://de.wikipedia.org/wiki/IGBT oder
Zitat aus diesem Link:
Für die Funktion des IGBTs sind der p-n-Übergang und das Gate verantwortlich. Es entsteht eine Darlingtonschaltung aus einem n-Kanal-FET und einem pnp-Transistor .
http://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_i…)
und hat mit einem Darlington
(http://de.wikipedia.org/wiki/Darlington-Schaltung) leider gar
nichts zu tun.
MfG Peter(TOO)
Hallo Fragewurm,
Wiki ist trotzdem für meine Frage 'mal wieder viel zu
oberflächlich und knapp.
Na dann such dich mal hier durch:
http://www.google.ch/search?sourceid=navclient&aq=t&…
Ich hab mir die ersten paar Einträge angesehen, alles Volltreffer !!
MfG Peter(TOO)
Na gut…
Hallo,
Zitat aus diesem Link:
Für die Funktion des IGBTs sind der p-n-Übergang und das
Gate verantwortlich. Es entsteht eine Darlingtonschaltung aus
einem n-Kanal-FET und einem pnp-Transistor .
ich ziehe meinen Einwand zurück, setze mich in eine Ecke und schäme mich.
Gruß
loderunner