Hallo patrick,
ok - dann wurde mir das in einem anderen Forum total falsch
erklärt… da meinten die teilnehmer, dass es egal ist ob
Signale zu früh eintreffen, die bleiben dann halt am Eingang
z.B. vom SDRAM solange bis die anderen Signale auch
eingetroffen sind, stehen…
Unter gewissen Umständen stimmt das auch.
Das steht alles im Datenblatt.
Das wichtige ist die Worst Case Berechnung.
Aus den Datenblatt ergeben sich Zeitfenster, welche sich
direkt auf die Pins des ICs beziehen.
Du musst nun sicherstellen, dass die Signale unter allen
Umständen innerhalb dieser Zeitfenster eintreffen.
ja, die operating ac parameter. der Takt für den SDRAM ist 80MHz und die interne CLK für die Core vom µC läuft bei 180MHz. 80MHz = 12.5ns und auf FR4 hab ich ca. 14cm/ns Ausbreitungsgeschwindigkeit.
ist es dann so nach diesem pdf
http://www.samsung.com/global/business/semiconductor…
rechts als pdf anklickbar „timing diagramm“.
so, dass z.B: zum anlegen der Adresse nur die Input Setup Time Tss zur Verfügung steht? Und gleichzeitig auch über BA[0 1] die entsprechende Bank ausgewählt werden muss - gleichzeitig? Da seh ich jetzt z.B. keine Zeit die mir angibt wieviel Spiel (zeitlich gesehen) ich dabei habe. Und nach einer clk-time also 12.5ns später wird RAS aktiviert.
z.B. musst du Sicherstellen, dass wenn du einen langsamen
Adress-Treiber hast, dein RAM auch ein langsames ist und der
Clock von einem ganz schnellen Treiber gesteuert wird, die
Setup-Zeit nicht unterschritten wird.
also im Datenblatt des µC steht, dass ein angeschlossener SDRAM höchstens mit 80MHz Takt gefahren werden kann und der SDRAM selbst kann mit 133MHz betrieben werden.
Gleichzeitig darf aber die Hold-Time nicht unterschritten
werden, wenn der Adress-Treiber schnell, der Clock-Treiber
langsam und das RAM auch langsam ist.
das ist auch noch so eine frage. im Datenblatt wird die Hold-Time mit 0.8ns und die Setup-Time mit 1.5ns angegeben (bezogen auf Trise / Tfall = 1ns); ansonsten muss [(Tr + Tf)/2 +1]ns hinzuaddiert werden.
Wenn du die Worst Case Berechnungen, ohne die Leiterbahnen,
gemacht hast, weisst du wieviel „Luft“ du hast und kannst dann
auch bestimmen wie kritisch die Verzögerungen durch die
Leiterbahenen sind.
Dabei darfst du nicht vergessen, das die Kapatitäten sich je
nach Eingang unterscheiden können und es auch eine Rolle
spielt, wievile Pins an einer Leitung angeschlossen sind.
das ist mir als einziges bis jetzt klar… beim µC stets 10pF und beim SDRAM max. 3.8pF für die Addressen und max. 6.0pF für die Datenleitungen.
Gruß patrick