Hallo Leute,
Was ist denn der maximale Collector-Emitter-Strom, den der Transistor BC639 ungekühlt schalten kann?
Laut Datenblatt macht er ja 1A maximal. Aber was kann er ungekühlt wirklich?
Danke,
der Günther
Hallo Günther,
Was ist denn der maximale Collector-Emitter-Strom, den der
Transistor BC639 ungekühlt schalten kann?Laut Datenblatt macht er ja 1A maximal. Aber was kann er
ungekühlt wirklich?
Das steht auch im Datenblatt.
Ohne die Verlustleistung und deine Umgebungstemperatur zu wissen, kann man dazu nichts sagen.
Vielleicht steuerst du ihn auch falsch an.
MfG Peter(TOO)
Hallo Peter,
Ich benutze das Ding binär als Schalter. Von einem PIC kommen 5V, die über 1,2k an die Basis gehen.
Und nun will ich wissen, wie gross die Atromstärke sein kann, die über den Collector fliessen kann, wenn der Emitter an Masse hängt.
Den Strom vor dem Collector würde ich dann extra mit nem eigenen Widerstand einstellen.
Ist vielleicht nicht die tollste Variante, aber sollte doch gehen.
der Günther
Hallo Günther,
Wieso lernt man euch eigentlich nicht, wie man ein Datenblatt liest ???
Ich habe gerade die von Fairchild und Phillips hier:
http://www.fairchildsemi.com/ds/BC/BC639.pdf
http://www.semiconductors.philips.com/acrobat_downlo…
1A steht unter „Absolue Maximum Ratings“ …
Dies gilt nur bei Ta = 25°C
Ich benutze das Ding binär als Schalter. Von einem PIC kommen
5V, die über 1,2k an die Basis gehen.
Der PIC (ich bin gerade zu faul um auch noch im PIC Datenblatt nachzusehen) wird wohl keine 5.00V am Ausgang liefern, wenn er Strom abgeben muss, also rechnen wir einmal optimistisch mit 4.5V.
Wenn du dir die Stromverstärkung anschaust, ist der bei 500 mA mit mindestens 25 (Phillips) angegeben (Fairchild garantiert noch 40 @ 500mA). Bei 1A wirds halt noch etwas schlechter. Vbe beträgt bei 500 mA 1V.
Also (4.5V-1V)/1k2 = 2.916 mA
Das runden wir einmal optimistisch auf 3 mA auf und multiplizieren das mit dem Hfe von 40
= 120 mA !!!
Tja, hier stimmt wohl schon etwas nicht !!!
Rückrechnen:
1A /40 = 250 mA
(4.5V-1V)/250mA = 14 Ohm !!!
MfG Peter(TOO)
Hallo Peter,
irgendwie habe ich das anders verstanden.
Ich dachte, wenn ich einen Transistor in die Sättigung treibe wirkt er als Schalter und den Strom muss ich dann gesondert einstellen.
Wenn deine Rechnung so stimmt ist das Datenblatt gelogen.
Ich kann keine 250mA in die Basis schicken. Da ist bei 100mA Dauerbetrieb Schluss. (hab hier ein Siemens-Datenblatt)
Sorry aber jetzt bin ich vollkommen verwirrt.
der Günther
Hallo Günther,
irgendwie habe ich das anders verstanden.
Ich dachte, wenn ich einen Transistor in die Sättigung treibe
wirkt er als Schalter und den Strom muss ich dann gesondert
einstellen.Wenn deine Rechnung so stimmt ist das Datenblatt gelogen.
Nö, das Datenblatt stimmt schon, aber du hast nicht gelernt es zu lesen, das ist ja das Problem. Scheinbar wird das nicht gelehrt und dann wundert man sich in der Praxis …
Was unter „absolute Maximum Ratings“ steht, sind nicht die Betriebsdaten, sondern die Grenzdaten. Überschreitet man diese, geht das Ding kaputt.
Die Daten für die Berechnung stehen etwas weiter unten.
Am einfachsten wäre ein MOS-FET, du musst aber darauf achten, dass es ein Logik-Level-Typ ist, die normalen schalten erst bei 6V durch.
MfG Peter(TOO)
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Hallo nochmal,
Nö, das Datenblatt stimmt schon, aber du hast nicht gelernt es
zu lesen, das ist ja das Problem. Scheinbar wird das nicht
gelehrt und dann wundert man sich in der Praxis …
Scheinbar hast du recht. Aber ich habe das wirklich so gelernt, dass der Transistor in der Sättigung als reiner Schalter funktioniert.
Was unter „absolute Maximum Ratings“ steht, sind nicht die
Betriebsdaten, sondern die Grenzdaten. Überschreitet man
diese, geht das Ding kaputt.
Die Daten für die Berechnung stehen etwas weiter unten.
Ist aber doch trotzdem komisch, wenn man maximale Ratings angibt, die unter keinen Umständen erreichbar sind.
Am einfachsten wäre ein MOS-FET, du musst aber darauf achten,
dass es ein Logik-Level-Typ ist, die normalen schalten erst
bei 6V durch.
Okay. Das ist auch gut. Hast du da vielleicht einen Erfahrungswert, welchen ich da nehmen kann? Du weisst ja was Reichelt für ne Liste ausspuckt, wenn ich MOS-FET eingebe. Möglichst nicht so teuer?
Danke dir nochmal,
der Günther, dessen Welt jetzt wackelt.
Hallo Günther,
Nö, das Datenblatt stimmt schon, aber du hast nicht gelernt es
zu lesen, das ist ja das Problem. Scheinbar wird das nicht
gelehrt und dann wundert man sich in der Praxis …Scheinbar hast du recht. Aber ich habe das wirklich so
gelernt, dass der Transistor in der Sättigung als reiner
Schalter funktioniert.
Das mit der Sättigung stimmt ja schon und ist auch kein Wiederspruch zu dem was ich geschrieben habe. Aber es müssen halt auch noch ein paar andere Parameter passen, nicht nur einer !!
Was unter „absolute Maximum Ratings“ steht, sind nicht die
Betriebsdaten, sondern die Grenzdaten. Überschreitet man
diese, geht das Ding kaputt.
Die Daten für die Berechnung stehen etwas weiter unten.Ist aber doch trotzdem komisch, wenn man maximale Ratings
angibt, die unter keinen Umständen erreichbar sind.
Die sind schon erreichbar, man kann sie sogar überschreiten !!
Besonders wenn man keine Worst-Case -Berechnungen anstellt.
Am einfachsten wäre ein MOS-FET, du musst aber darauf achten,
dass es ein Logik-Level-Typ ist, die normalen schalten erst
bei 6V durch.Okay. Das ist auch gut. Hast du da vielleicht einen
Erfahrungswert, welchen ich da nehmen kann? Du weisst ja was
Reichelt für ne Liste ausspuckt, wenn ich MOS-FET eingebe.
Möglichst nicht so teuer?
Nö, ich kenne Reichelt nur dem Namen nach, hier in CH bestelle ich wo anders.
Nimm was im TO-220 gehäuse, so um 10A rum solltest du die günstigsten finden. Wichtig ist, dass sie als LL oder LogikLevel spezifiziert sind.
Danke dir nochmal,
Bitte.
der , dessen Welt jetzt wackelt.
Ja, die Praxis wird an den Hochschulen irgendwie immer vergessen …
MfG Peter(TOO)
Hallo nochmal,
Nö, das Datenblatt stimmt schon, aber du hast nicht gelernt es
zu lesen, das ist ja das Problem. Scheinbar wird das nicht
gelehrt und dann wundert man sich in der Praxis …Scheinbar hast du recht. Aber ich habe das wirklich so
gelernt, dass der Transistor in der Sättigung als reiner
Schalter funktioniert.
würde er liebend gerne bei entsprechender ansteuerung tun. dein basisstrom ist aber durch den zu grossen vorwiderstand so klein, dass der transistor bei hohen kollektorstömen „öffnet“ und damit eine leistung verbraten muss, die er „geschlossen“ niemals über sich ergehen lassen müsste.
Was unter „absolute Maximum Ratings“ steht, sind nicht die
Betriebsdaten, sondern die Grenzdaten. Überschreitet man
diese, geht das Ding kaputt.
Die Daten für die Berechnung stehen etwas weiter unten.Ist aber doch trotzdem komisch, wenn man maximale Ratings
angibt, die unter keinen Umständen erreichbar sind.Am einfachsten wäre ein MOS-FET, du musst aber darauf achten,
dass es ein Logik-Level-Typ ist, die normalen schalten erst
bei 6V durch.Okay. Das ist auch gut. Hast du da vielleicht einen
Erfahrungswert, welchen ich da nehmen kann? Du weisst ja was
Reichelt für ne Liste ausspuckt, wenn ich MOS-FET eingebe.
Möglichst nicht so teuer?Danke dir nochmal,
der Günther, dessen Welt jetzt wackelt.
was für daten muss er denn haben? wenn du mit ca 800ma; 45v Uce leben kannst, dann nimm doch einen bc 337-40 der hat ein gain von min 250, und wenn deine ansteuerung 5v (4,5v) beträgt, und 5ma strom liefern kann, musst du nur den vorwiderstand auf 820ohm verringern. beachte aber die veränderte anschlussbelegung.
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Nur der Ordnung halber …
Hallo Peter.
Rückrechnen:
1A /40 = 250 mA
(4.5V-1V)/250mA = 14 Ohm !!!
… sollte man erwähnen, dass 1A/40 = 25 mA sind und sich daraus 140 Ohm ergeben.
Mit freundlichen Grüßen
Alexander Berresheim
Hallo Alexander,
Rückrechnen:
1A /40 = 250 mA
(4.5V-1V)/250mA = 14 Ohm !!!… sollte man erwähnen, dass 1A/40 = 25 mA sind und sich
daraus 140 Ohm ergeben.
Da hast du recht !! Ist wohl nicht so gut, gleichzeitig nebenbei noch im W-W-W-Chat zu sein 
(
Wobei die 25 mA derjenige Strom ist, bei welchem der Transistor noch linear arbeitet. Für Schalteranwendungen übersteuert man den Transistor ja. Die Faustregel ist 10facher Basisstrom, aber ich habe vergessen das zu schreiben.
MfG Peter(TOO)
Irgendwie ist der Peter heute nicht gut drauf 
dabei habe ich schon deutlich niveaulosere Fragen hier erlebt, die mit aller Sachlichkeit beantwortet wureden…
macht nix, egal:
Hallo ihr zwei,
Ich habe auch gerade das Datenblatt von Phillips hier,
1A steht unter „Absolue Maximum Ratings“ …
Dies gilt nur bei Ta = 25°C
und das steht bei mir nicht. Normalerweise ist die Verlustleistung, nicht aber der Maximalstrom temperaturabhängig.
Ich benutze das Ding binär als Schalter. Von einem PIC kommen
…
multiplizieren das mit dem Hfe von 40
= 120 mA !!!Tja, hier stimmt wohl schon etwas nicht !!!
Im Prinzip richtig. Nur bei mir steht:
hFE @ -1 A >= 60(!) und für BC369-25 @ -500mA sogar >= 160(!!) (UBE 1 V)
Nehmen wir 60, macht das IB >= 16 mA. Bei 3,5 V über den R müsste der 200 Ohm haben, aber schafft ein PIC auf low 16 mA? Könnte sein. Im Datenblatt nachsehen!
UBE 1 V un IC 1 A macht 1 W, und das wäre ungekühlt etwas zu viel. Aber an kurzen Beinchen eingelötet, etwas größere Massefläche, nicht viel mehr als 25°, das geht dann schon.
Ist doch gar nicht so schlimm!
Günther (der mit der wackelnden Welt),
wenn man einen Transistor nur in zwei Zuständen betreibt:
-
mit so viel Basisstrom, dass seine Kollektorspannung fast 0 wird, wenn er also in die Sättigung kommt,
-
vollständig gesperrt
dann spricht man vom Schalten. Es stellt sich kein „Arbeitspunkt“ ein, bei dem das Verhältnis IC/IB dem Stromverstärkung entspricht (um Widersprüche hier zu verhindern: Das stimmt zwar nicht ganz exakt, reicht aber in erster Näherung).
Im Schaltbetrieb ist die Verlustleistung des Transistors in erster Näherung(!!!) immer Null, aber bei Dir … siehe oben, schon an der Grenze der Verlustleistung.
Grüße
Uwe
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Hallo Uwe,
Im Prinzip richtig. Nur bei mir steht:
hFE @ -1 A >= 60(!) und für BC369-25 @ -500mA sogar >=
160(!!) (UBE 1 V)
Welcher Hersteller ???
Den BC639 kenne ich als
BC639
BC639-10
BC639-16
BC639-25
Irgendwie sind die Spezifikationen schon zwischen Fairchild und Phillips etwas unterschiedlich. Abgesehen davon, hat Günther nichts von einem von einem selektierten typ geschrieben, wieso gehst du dann vom BC639-25 aus ??
MfG Peter(TOO)
Also mal ganz konkret.
Hallo Leute,
Nachdem ich am Samstag wegen voelligem Dummheitsgefuehl schlecht geschlafen habe Sonntag von all dem nichts wissen wollte, will ich mal genau meine Anforderungen beschreiben.
Also ich habe eine Last von etwa 750 mA an 12V. Ich hatte vor, die auf 2 Transistoren zu verteilen. Meine eigentliche Frage sollte halt daraus hinauslaufen, ab welchem Strom ich kuehlen muss.
Okay, ich weiss jetzt, dass das nicht so unkompliziert ist, wie ich dachte.
Welchen Typ von welchem Hersteller ich geschickt bekommen habe ist leider nicht ganz nachzuvollziehen.
Nehmen wir 60, macht das IB >= 16 mA. Bei 3,5 V über den R
müsste der 200 Ohm haben, aber schafft ein PIC auf low 16 mA?
Könnte sein. Im Datenblatt nachsehen!
Ein PIC kann 25 mA treiben und meines Wissens duerfen auch 25mA reinfliessen (unsicher), solange die Gesamtsumme nich 200 mA uebersteigt.
Günther (der mit der wackelnden Welt),
Jammer!
wenn man einen Transistor nur in zwei Zuständen betreibt:
mit so viel Basisstrom, dass seine Kollektorspannung fast 0
wird, wenn er also in die Sättigung kommt,vollständig gesperrt
dann spricht man vom Schalten.
Genau das habe ich ja machen wollen. Aber was muss ich denn veranstalten, um einen Transistor in die Saettigung zu treiben?
Es stellt sich kein
„Arbeitspunkt“ ein, bei dem das Verhältnis IC/IB dem
Stromverstärkung entspricht (um Widersprüche hier zu
verhindern: Das stimmt zwar nicht ganz exakt, reicht aber in
erster Näherung).
Okay. Das habe ich auch mal gelernt. Im Prinzip ist mir ja klar, wie ein Transistor funktioniert. Proportionale Stromverstaerkung ist ja alles klar.
Nur habe ich halt auch gelernt, dass man einen Transistor ab ~2mA in der Saettigung hat. Daher dachte ich die entsprechenden Werte des Datenblattes gelten fuer meinen Fall nicht.
Im Schaltbetrieb ist die Verlustleistung des Transistors in
erster Näherung(!!!) immer Null, aber bei Dir … siehe oben,
schon an der Grenze der Verlustleistung.
Okay. Danke. Das beantwortet wenigstens meine urspruengliche Frage.
Was denkt ihr, wenn ich jeden der zwei Transistoren mit ~12 mA befeuere. Da habe ich bei 40facher Verstaerkung noch ein paar Reserven. Oder kann ich da mit einer Transistorkaskade (Darlington oder sowas) mehr reissen?
Der Guenther
Hallo Leute,
Nachdem ich am Samstag wegen voelligem Dummheitsgefuehl
schlecht geschlafen habe Sonntag von all dem nichts wissen
wollte, will ich mal genau meine Anforderungen beschreiben.Also ich habe eine Last von etwa 750 mA an 12V. Ich hatte vor,
die auf 2 Transistoren zu verteilen. Meine eigentliche Frage
sollte halt daraus hinauslaufen, ab welchem Strom ich kuehlen
muss.
im schaltfalle garnicht. aber bei verwendung von 2 transistoren solltest du emitterwiderstände vorsehen (für stromverteilung auf beide transistoren)
Okay, ich weiss jetzt, dass das nicht so unkompliziert ist,
wie ich dachte.Welchen Typ von welchem Hersteller ich geschickt bekommen habe
ist leider nicht ganz nachzuvollziehen.Nehmen wir 60, macht das IB >= 16 mA. Bei 3,5 V über den R
müsste der 200 Ohm haben, aber schafft ein PIC auf low 16 mA?
Könnte sein. Im Datenblatt nachsehen!Ein PIC kann 25 mA treiben und meines Wissens duerfen auch
25mA reinfliessen (unsicher), solange die Gesamtsumme nich 200
mA uebersteigt.Günther (der mit der wackelnden Welt),
Jammer!
wenn man einen Transistor nur in zwei Zuständen betreibt:
mit so viel Basisstrom, dass seine Kollektorspannung fast 0
wird, wenn er also in die Sättigung kommt,vollständig gesperrt
dann spricht man vom Schalten.
Genau das habe ich ja machen wollen. Aber was muss ich denn
veranstalten, um einen Transistor in die Saettigung zu
treiben?Es stellt sich kein
„Arbeitspunkt“ ein, bei dem das Verhältnis IC/IB dem
Stromverstärkung entspricht (um Widersprüche hier zu
verhindern: Das stimmt zwar nicht ganz exakt, reicht aber in
erster Näherung).Okay. Das habe ich auch mal gelernt. Im Prinzip ist mir ja
klar, wie ein Transistor funktioniert. Proportionale
Stromverstaerkung ist ja alles klar.
Nur habe ich halt auch gelernt, dass man einen Transistor ab
~2mA in der Saettigung hat. Daher dachte ich die
entsprechenden Werte des Datenblattes gelten fuer meinen Fall
nicht.Im Schaltbetrieb ist die Verlustleistung des Transistors in
erster Näherung(!!!) immer Null, aber bei Dir … siehe oben,
schon an der Grenze der Verlustleistung.Okay. Danke. Das beantwortet wenigstens meine urspruengliche
Frage.Was denkt ihr, wenn ich jeden der zwei Transistoren mit ~12 mA
befeuere. Da habe ich bei 40facher Verstaerkung noch ein paar
Reserven. Oder kann ich da mit einer Transistorkaskade
(Darlington oder sowas) mehr reissen?Der Guenther
Hallo,
Also ich habe eine Last von etwa 750 mA an 12V. Ich hatte vor,
die auf 2 Transistoren zu verteilen. Meine eigentliche Frage
sollte halt daraus hinauslaufen, ab welchem Strom ich kuehlen
muss.
Im Schalterbetrieb kann man bei einem Siliziumtransistor
mit einem minim. Uce ca 0,15V…0.3V rechnen.
Bei einem kleinen Transistor , der an seiner Leistungegrenze
betrieben wird, eher etwas weniger, weil da die Bahnwider-
stände schon einen merklichen Anteil am Spannungsabfall haben.
Also rechnen wir mal 0,3V * 0,75A = ca. 230mW
Das ist noch gerade so an der Grenze, wo man ohne
Kühlkörper auskommt. Die Pins müssen dann kurz auf möglichst
dicke Kupferbahnen gelötet werden, damit max. Wärme
abgeführt werden kann.
Ansonsten ist ein kleiner Kühlstern schon zu empfehlen,
wenn der Strom dauerhaft eingeschaltet werden soll.
Bei höheren Schaltfrequenzen ist natürlich noch der
dynamische Leistungsanteil im Schaltmoment zu
berücksichtigen, aber darum geht es wohl nicht, oder?
Welchen Typ von welchem Hersteller ich geschickt bekommen
habe ist leider nicht ganz nachzuvollziehen.Nehmen wir 60, macht das IB >= 16 mA. Bei 3,5 V über den R
müsste der 200 Ohm haben, aber schafft ein PIC auf low 16 mA?
Könnte sein. Im Datenblatt nachsehen!
Wenn Du im speziellen Fall die Daten des Trans. nicht
genau kennst, kannst Du mit einer kleinen Prüfschaltung
leicht die Stromverstärkung ausmessen.
- Schalte den Collektor über ca. 150...200Ohm an 12V.
- Dann gebe über einen Vorwiderstand (ca. 1...5KOhm)
von den 12V Strom auf die Basis.
- Messe die Kollektorspannung/-Strom und rechne das
Stromverhältnis Uc/Ub aus. Solange die Uce noch über 1V
liegt, ist der transistor noch nicht übersteuert.
- Beachte, daß bei diesem Test schon ein paar hundert mW
Leistung verbraten werden -\> deshalb nur kurz testen.
Beispiel:
Wenn Du also Ic=100mA mit einem Basisstrom von 2mA bekommst,
ist die Stromverstärkung ca. 50.
Beachte, daß für einem Strom im Grenzbereich des Transistors
die Stromverstärkung meist etwas abfällt.
Im weiteren kannst Du mit der Testschaltung dann auch den
Basisstrom für die Übersteuerung bestimen.
Der Basisstrom sollte dann ca. etwa 2…3mal größer sein,
als rein rechnerisch zum durchschalten des Laststromes nötig.
Bei 750mA und Stromverst. 50 also mind. ca. 15mA * 2 = 30mA
In dem Fall hättest Du schon Probleme, weil der PIC die
kaum noch liefern kann.
Nun zur konkreten Testschaltung im Schaltbetrieb mit einer
angenommenen Stromverstärkung von ca. 150
-> Ib ca.750mA/150 x 3 = 15mA für Übersteuerung (Schalterbetr)
- Schalte den Kollektor über ca. 15Ohm an 12V (I=ca.750mA).
- Dann gebe über einen Vorwiderstand (ca. 750 Ohm
von den 12V Strom auf die Basis (Ib = ca.15mA).
- Kontrolliere sofort die Kollektorspannung sofort Strom unterbrechen!!, sonst leuchtet der Trans.
- Falls der Test gut aussieht, kannst Du versuchsweise auch
mit etwas geringerem Basistrom testen.
In jedem Fall aber einen Sicherheitsfaktor von
ca. 1,5...2 einplanen.
Genau das habe ich ja machen wollen. Aber was muss ich denn
veranstalten, um einen Transistor in die Saettigung zu
treiben?
Wie oben beschrieben, einen Basisstrom einspeisen, der
deutlich größer ist als Kollektorstrom/Verstärkungsfaktor.
Nur habe ich halt auch gelernt, dass man einen Transistor ab
~2mA in der Saettigung hat.
Ist ohne Sinn (keine Randbedingungen ???)
Im Schaltbetrieb ist die Verlustleistung des Transistors in
erster Näherung(!!!) immer Null,
Das ist in erster Näherung auch etwas Unsinn,
weil Uce nicht Null wird…
Was denkt ihr, wenn ich jeden der zwei Transistoren mit ~12 mA
befeuere. Da habe ich bei 40facher Verstaerkung noch ein paar
Reserven. Oder kann ich da mit einer Transistorkaskade
(Darlington oder sowas) mehr reissen?
Ja, mit einer Darlingtonstufe kannst Du die
Stromverstärkung wesentlich verbessern, aber leider hat
eine Darlingtonstufe nicht mehr ein min.Uce von 0.3V,
sondern ca. 1V -> Uce + Ube (ca. 0,3V + ca.0,7V).
Wenn schon dann eine normale 2-stufige Transitorschaltung
mit einem Treiber über einen Kollektorwiderstand gegen
12V, der den Basisstrom der Schalters liefert.
Falls Du tatsächlich 2 Transistoren parallel schalten willst,
um die Verlustleistung zu verteilen, sollte jeder Transistor
einen separaten Basisvorwiderstand haben, damit die
Stromverteilung gleichmäßig wird. Ein zusätzlicher
Emitterwiderstand wird dann nicht nötig sein, solange die
Stromverstärkung beider Transistoren etwa gleich groß ist.
Ich hoffe, ich habe keine groben Rechnen-/Denkfehler gemacht.
Ich empfehle übrigens einen größeren Transistor mit
höherer Strombelastbarkeit (z.B. 3A-Typ).
Gruß Uwi
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Hallo Uwi,
Was denkt ihr, wenn ich jeden der zwei Transistoren mit ~12 mA
befeuere. Da habe ich bei 40facher Verstaerkung noch ein paar
Reserven. Oder kann ich da mit einer Transistorkaskade
(Darlington oder sowas) mehr reissen?Ja, mit einer Darlingtonstufe kannst Du die
Stromverstärkung wesentlich verbessern, aber leider hat
eine Darlingtonstufe nicht mehr ein min.Uce von 0.3V,
sondern ca. 1V -> Uce + Ube (ca. 0,3V + ca.0,7V).
Hm, irgendein Haken ist immer dabei.
Wenn schon dann eine normale 2-stufige Transitorschaltung
mit einem Treiber über einen Kollektorwiderstand gegen
12V, der den Basisstrom der Schalters liefert.
Kannst du mir das nochmal genauer erlaeutern? So richtig hab ich nicht verstanden was du meinst.
Soll ich einen Widerstand an die Basis von T1, dann einen Pull-Up am Collector von T1 und daran auch die Basis von T2?
Falls Du tatsächlich 2 Transistoren parallel schalten willst,
um die Verlustleistung zu verteilen, sollte jeder Transistor
einen separaten Basisvorwiderstand haben, damit die
Stromverteilung gleichmäßig wird. Ein zusätzlicher
Emitterwiderstand wird dann nicht nötig sein, solange die
Stromverstärkung beider Transistoren etwa gleich groß ist.
Ist sie. Ich habe mir das auch so gedacht.
Ich empfehle übrigens einen größeren Transistor mit
höherer Strombelastbarkeit (z.B. 3A-Typ).
Hast du ein konkretes Beispiel? Ich tu mich wirklich schwer beim Bauteile finden, wenn ich nur ne Randbedingung weiss. Und hast du auch ein Beispiel fuer einen geeigneten MOSFET?
Gruß Uwi
Danke, der Guenther
.
Ein zusätzlicher
Emitterwiderstand wird dann nicht nötig sein, solange die
Stromverstärkung beider Transistoren etwa gleich groß ist.
bedenken! die stromverstärkung ist im schaltfalle (wenn der basisstrom wirklich hoch genug ist) nicht mehr entscheidend, sondern die Uce der beteiligten transistoren. und wenn einer nur 0,2 v und der andere 0,3 volt hat (durch fertigungstoleranzen), wird der hauptstrom (wenn nicht gar der kpl.) durch den ersteren fliessen, desshalb ist es auch im schalterbetrieb sinnvoll emitterwiderstände zu verwenden. ohne frage ist es aber besser gleich einen leistungsfähigeren zu nehmen. wobei diese zumeist keine so hohe stromverstärkung besitzen dass man ihn direkt mit nem pic ansteuern kann - womit wir wieder beim eingangsproblem angelangt währen (auch der brennt wenn er nur halb geschlossen ist). dann hilft nur darington schaltung - oder ein fet.
Ich hoffe, ich habe keine groben Rechnen-/Denkfehler gemacht.
Ich empfehle übrigens einen größeren Transistor mit
höherer Strombelastbarkeit (z.B. 3A-Typ).
Gruß Uwi
Hi
hFE @ -1 A >= 60(!) und für BC369-25 @ -500mA sogar >=
160(!!) (UBE 1 V)Welcher Hersteller ???
Den BC639 kenne ich als
BC639
BC639-10
BC639-16
BC639-25
Philips (PDF)
1999 Apr 26
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BC369
PNP medium power transistor
book, halfpage
M3D186
Irgendwie sind die Spezifikationen schon zwischen Fairchild
und Phillips etwas unterschiedlich. Abgesehen davon, hat
Anscheinend.
Günther nichts von einem von einem selektierten typ
geschrieben, wieso gehst du dann vom BC639-25 aus ??
Vielleicht hat er ja wirklich nur einen aus der Grabbelkiste, aber wenn er erst einen kaufen muss, dann wäre es sehr unklug, keinen -25er zu nehmen. Das Ganze kann auch als Rechenbeispiel genommen werden - anscheinend würde es sogar ein beliebiger BC369 tun.
Grüße
Uwe
Hallo,
Wenn schon dann eine normale 2-stufige Transitorschaltung
mit einem Treiber über einen Kollektorwiderstand gegen
12V, der den Basisstrom der Schalters liefert.Kannst du mir das nochmal genauer erlaeutern? So richtig hab
ich nicht verstanden was du meinst.
Soll ich einen Widerstand an die Basis von T1, dann einen
Pull-Up am Collector von T1 und daran auch die Basis von T2?
Ja, so kann man es machen, allerdings ist der Ausgangspegel
dann negiert, aber das sollte kein Problem sein.
Mit einer modifizierten Darlingtonstufe geht es auch:
T1 wird über Basisvorwiderstand angesteuert, der Collektor
über Pullup gegen 12V geschaltet, aber der Emitter kommt
wie bei Darlington an die Basis von T2. Der Pullup wird
so ausgelegt, daß der Basisstrom für T2 reicht.
Der Vorteil: T2 kann wieder bis Ube > 0,3 durchschalten
und negiert ist auch nix.
Hast du ein konkretes Beispiel? Ich tu mich wirklich schwer
beim Bauteile finden, wenn ich nur ne Randbedingung weiss.
Mein Gott, was studierst Du ??? War das was mit E-Technik???
Ich habe die Transistortypen auch nicht alle im Kopf,
aber mit bischen Fleiß kann man sich bei Conrad oder
Reichelt was passendes finden.
Die Typen, die ich kenne und verwende bekommst Du eh
nicht bei Conrad und Reichelt
Suche Dir einen npn-Trans. für Ic_max mind. 3A in
einem größeren Gehäuse (z.B. TO220 - mind. 500mW ohne
Kühlkörper).
Dann schaue nach, daß die Stromverstärkung hoch ist.
BD-Typen sollten gut sein -> z.B. BDW83 bei Conrad mit
Stromverst. 750 und höher).
Da ist auch ein Datenblatt mit weiteren Typen.
Und
hast du auch ein Beispiel fuer einen geeigneten MOSFET?
Schaue nach sogenannten Logikpegel-FET. mit U_ds ca. 2,5…3V
und entsprechendem Strom Id > 3A sowie Rgs möglichst klein.
Gruß Uwi