Regelverstärker (Spgs.-Stabilisierung) mit MOSFETs

Hallo zusammen!

Meine Frage lautet: Kann man bei einem diskret aufgebauten
Spannungsregler (mit Regelverstärker) die Längstransistoren
(also die, die den meisten Strom und nicht gerade wenig
Verlustleistung abbekommen) auch ohne (recht viel) weiteres
durch Power-MOSFETs ersetzen?
Mein Problem: Ich arbeite mit Anwendungen mit (sehr) viel Strom.
Bipolare (normale) Transistoren gibt’s bis maximal 15 A
(eigentlich ausreichend), der Stromverstärkungswert ist dann
aber viel zu niedrig. Außerdem können kurzzeitig sehr hohe
Stromspitzen (ca. 200-500 µs) auftreten, was die Bipol. Transis
nicht gerade gern haben… Außerdem kann die Verlustleistung am
Transistor einfach zu hoch werden.
Sollte mein Vorhaben nicht realisierbar sein, bitte ich um
Schaltpläne für diskret aufgebaute
Spannungsstabilisierungsschaltungen (evtl. regelbar von ca.
10-35 V), die (am besten) mit MOSFETs aufgebaut sind und Dauer-
ströme von ca. 10 A locker wegstecken. Die Kühlung ist dabei das
kleinere Problem.

Danke schon mal im Voraus,
Johannes.

Hi!

WENN die Treiberstufe eine Stellspannung liefern kann, die etwa 5 bis 10 Volt höher als die geregelte Ausgangsspannung der Schaltung ist, kannst du ohne weiteres einen MOSFET einsetzen.

Das Problem ist, dieser wird halt nicht über einen Strom gesteuert (UB ~ 0,7 Volt) sondern über eine Spannung (eben um 5 bis 10 Volt, grob gesagt).

Ich denke du meinst hier diese „Monsterklötze“ die einige 100 Watt abkönnen…? Die gibt es notfalls aber auch bipolar.

Zu empfehlen wäre je nach Anwendungsfall aber auch ein Schaltregler.

Markus

Hallo,

Meine Frage lautet: Kann man bei einem diskret aufgebauten
Spannungsregler (mit Regelverstärker) die Längstransistoren
(also die, die den meisten Strom und nicht gerade wenig
Verlustleistung abbekommen) auch ohne (recht viel) weiteres
durch Power-MOSFETs ersetzen?

Kann man sicher. Bei den FET sollten z.B. die BUZ-Typen
geeignet sein.

Mein Problem: Ich arbeite mit Anwendungen mit (sehr) viel Strom.
Bipolare (normale) Transistoren gibt’s bis maximal 15 A
(eigentlich ausreichend), der Stromverstärkungswert ist dann
aber viel zu niedrig.

Empfehlung: www.questlink.com
Das findest Du recht schnell auch größere Transistoren
z.B. mit Ice=50A.

Außerdem können kurzzeitig sehr hohe

Stromspitzen (ca. 200-500 µs) auftreten, was die Bipol.
Transis nicht gerade gern haben…

Kann ich so auch nicht bestätigen. Bipolartransistoren können
kurzzeitig ne Menge mehr als Nennstrom ab. z.B. 10…20 fache.

Außerdem kann die Verlustleistung am Transistor einfach zu hoch
werden.

Das ist 'ne Frage des Kühlung. Bei einer Rohspannung von 40V
und 10V-Ausgangsspannung kommen bei 10A schon 300W zusammen.
Das geht noch mit einem einzigen Transistor und großem Kühlk.
(allerdings dann nur noch 25% Wirkungsgrad).
Es geht auch, Transitoren paralell zu schalten. Bei Bipolaren
werden die unterschiedlichen Ube dann durch kleine
Emitterwiderstände gegengekoppelt -> für gleichmäßige Strom-
aufteilung.
Bei einer Stromverstärkung von 50 wird ein Basisstrom von
0,2A benötigt (selbst wen man die auch aus den 40V Rohspannung
ableitet, sind’s dann gerade mal 6W, die der Treiber aufbringen
muß (das ist im Vergleich mit obigen 300W marginal).

Die Stromspitzen können schaltungstechnisch auch leicht
begrenzt werden.

Sollte mein Vorhaben nicht realisierbar sein, bitte ich um
Schaltpläne für diskret aufgebaute
Spannungsstabilisierungsschaltungen (evtl. regelbar von ca.
10-35 V), die (am besten) mit MOSFETs aufgebaut sind und
Dauerströme von ca. 10 A locker wegstecken. Die Kühlung ist
dabei das kleinere Problem.

Falls nichts gegen einen Schaltregler spricht, kann das auch
mit 85% Wirkungsgrad und einstellbarer Spannung realisiert werden.
Gruß Uwi