Der NPN transisor (emitterschaltung) schaltet nur, wenn der µC an die Basis eine Spannung anlegt. Dies tut er nur, wenn die Batteriespannung groß genug ist. (Tiefentladeschutz).
Um die Schlatung (grüne box) zu starten wird der Taster SW1 betätigt welcher den Transistor überbrückt und den µC startet. Danach übernimmt der Transistor die Aufgabe des Tasters.
Wenn die Spannung der Batterie nun zu niedrig wird, schltet der µC die Basis auf LOW und die Stromversorgung wird unterbrochen. Die Schaltung geht aus.
Nun folgendes Problem:
Die Spannung sollte möglichst die selbe wie vor dem Transisitor sein. Dies ist laut meinem Wissen bei einer Emitterschaltung nicht der Fall da dort ein Spannungsabfall von ca 0.7- 0.8 V anfällt.
Wie könnte ich die Schaltung anderst realisieren, dass ich kaum einen Spannungsabfall und kaum Verlustleistung am Transsitor habe. (Es muss nicht unbedingt ein Transistor sein, ein relais scheidet glaube ich wegen der Verlustleistung aus, und ein Optokoppler wegen dem Stromverlust.)
Der Trasistor muss vor der Schaltung positioniert werden, da ich auf der Platine eine große massefläche habe welche sich noch andere Potentiale Teilen.
Nun folgendes Problem:
Die Spannung sollte möglichst die selbe wie vor dem
Transisitor sein. Dies ist laut meinem Wissen bei einer
Emitterschaltung nicht der Fall da dort ein Spannungsabfall
von ca 0.7- 0.8 V anfällt.
Nimm einen PNP-Transistor (Emitter an +12V), dann fallen nur um die 0.2V ab.
die Urschaltung nur dann funktioniert, wenn irgendwo eine Spannung > 12V erzeugt und vom µController indirekt geschaltet wird
es für bipolartransistoren vermutlich keinen Grund gibt : Ein FET tut es quasi ohne jeden unnützen Basisstrom
zu Deiner pnp (bzw dem entsprechenden FET) Schaltung dann noch ein echter Open-Collector Ausgang oder ein echter Transistor gehört, der den Basiswiderstand nach Masse schaltet (für EIN). Ggf. noch ein Pullup vom Gate nach 12V und ggf. noch eine Diode zur Vermeidung zu großer Gatespannungen.
