Startknopf und Teifentladeschutz in einer Schaltung integriert

Hallo Leute,

Ich habe ein Schaltung welche im Batteriebetrieb laufen soll. Nun möchte ich einen Einschalter, sowie einnen tiefentladeschutz einbauen.

Folgender maßen habe ich mir das vorgestellt:

http://img5.fotos-hochladen.net/uploads/bildschirmfo…Erklärung:

Der NPN transisor (emitterschaltung) schaltet nur, wenn der µC an die Basis eine Spannung anlegt. Dies tut er nur, wenn die Batteriespannung groß genug ist. (Tiefentladeschutz). 

Um die Schlatung (grüne box) zu starten wird der Taster SW1 betätigt welcher den Transistor überbrückt und den µC startet. Danach übernimmt der Transistor die Aufgabe des Tasters. 

Wenn die Spannung der Batterie nun zu niedrig wird, schltet der µC die Basis auf LOW und die Stromversorgung wird unterbrochen. Die Schaltung geht aus. 

Nun folgendes Problem: 
Die Spannung sollte möglichst die selbe wie vor dem Transisitor sein. Dies ist laut meinem Wissen bei einer Emitterschaltung nicht der Fall da dort ein Spannungsabfall von ca 0.7- 0.8 V anfällt. 

Wie könnte ich die Schaltung anderst realisieren, dass ich kaum einen Spannungsabfall und kaum Verlustleistung am Transsitor habe. (Es muss nicht unbedingt ein Transistor sein, ein relais scheidet glaube ich wegen der Verlustleistung aus, und ein Optokoppler wegen dem Stromverlust.)

Der Trasistor muss vor der Schaltung positioniert werden, da ich auf der Platine eine große massefläche habe welche sich noch andere Potentiale Teilen. 

Für Eure Ideen wäre ich Euch sehr Dankbar! 

Hallo
Ob die Schaltung so sinnvoll ist , darüber hab ich jetzt nicht weiter nachgedacht.

Aber es ist ja eine Art Selbsthaltung.

Spontan 2 Möglichkeiten:
Relais über den Transistor schalten, oder halt einen MosFet benutzen; der hat kaum Verluste
über seine Strecke…

Jörg

Danke für deine Schnelle Antwort!

Relais über den Transistor schalten,

Damit habe ich aufgrund der Verluste Bauchschmerzen. Während dem ganzen Betrieb müsste das Relais ja durchschalten. Und dann noch der Platzbedarf :frowning:

oder halt einen MosFet
benutzen; der hat kaum Verluste

Meintest du so etwas in der Art?
http://www.fotos-hochladen.net/uploads/bildschirmfot…
Wobei am Gate ja maximal 4-5V anliegen würden. Reicht das schon zum durchschalten?

Hallo Fragewurm,

Nun folgendes Problem: 
Die Spannung sollte möglichst die selbe wie vor dem
Transisitor sein. Dies ist laut meinem Wissen bei einer
Emitterschaltung nicht der Fall da dort ein Spannungsabfall
von ca 0.7- 0.8 V anfällt. 

Nimm einen PNP-Transistor (Emitter an +12V), dann fallen nur um die 0.2V ab.

MfG Peter(TOO)

Hallo Peter,

ich würde gerne noch ergänzen, dass

  1. die Urschaltung nur dann funktioniert, wenn irgendwo eine Spannung > 12V erzeugt und vom µController indirekt geschaltet wird
  2. es für bipolartransistoren vermutlich keinen Grund gibt : Ein FET tut es quasi ohne jeden unnützen Basisstrom
  3. zu Deiner pnp (bzw dem entsprechenden FET) Schaltung dann noch ein echter Open-Collector Ausgang oder ein echter Transistor gehört, der den Basiswiderstand nach Masse schaltet (für EIN). Ggf. noch ein Pullup vom Gate nach 12V und ggf. noch eine Diode zur Vermeidung zu großer Gatespannungen.

Gruß
acim