Hallo Uwe,
Was unterscheidet diese ICs innerlich voneinander? Sind das
unterschiedliche Herstellungsverfahren, wenn ja, im Silizium
und/oder Gehäuse? Werden die wohlmöglich nur selektiert
(„Diese Charge ist gut genug für MIL“)? Kann ich mir nicht
denken. Früher gab’s wenigstens noch Keramikgehäuse, da war’s
plausibel.
Nach oben begrenzt Silizium zusammen mit dem Ditierungsmaterial die Temperatur auf 175°C bis maximal 200°C. Allerdings ist das die maximale mögliche Temperatur der Halbleiters, man darf keinesfalls vergessen, dass so ein Halbleiter ja im Betrieb selbst Wärme erzeugt.
Nach unten gibt es dann mal Probleme mit der Supraleitung, aber das müsste erst unterhalb einiger Kelvin der Fall sein. Bis 70K kenne ich keine grundsätzlichen Probleme.
Die Hauptprobleme beim Temperaturbereich sind mechanischer Natur. Da die verwendeten Materialien unterschiedliche Ausdehnungs-Koeffizienten haben, kommt es zu mechanischen Spannungungen. Meist werden dabei die Bonddrähte abgerissen (Besonders K-Stoffgehäuse, weil hier die Bonddrähte mit eingegossen sind). Beim Keramik-Gehäuse sind die BOnddrähte nicht vergossen, können sich also frei bewegen.
Es gibt beim K-Stoff-Gehäuse die Möglichkeit die Bonddrähte zuerst in Silikongummi einzubetten und erst danach den harten K-Stoff fürs Gehäuse zu umspritzen.
Einer der wichtigsten Stress-Test ist das durchlaufen von Temperatur-Zyklen, zwischen den maximalen zulässigen Temperaturen. C-Typen fallen da schon im Bereich von 100 Zyklen aus.
Ein weiteres Problem ist das Aluminium, welches für die Leiterbahnen auf dem Chip verwendet wird. Sein Ausdehnungkoeffizient unterscheidet sich beträchlich von Silizium. Die gab z.B. (IMHO) bei den ersten 64KiBit-RAMs Probleme. Nach der Herstellung bestanden sie alle Test, aber nach 3 bis 6 Monaten im Lager war ein grosser Teil defekt. Die Ursache waren die kleineren Strukturgrössen bei denen die Zugspannung im ALU zu gross wurden und die Leiterbahnen einfach risssen. Durch andere Verfahren (sputtern) beim Aufbringen des ALUs und andere Temperaturprofile beim Abkühlen hat man das heute im Griff.
Ein anderes Problem bei der Temperatur sind nach oben hin die Leckströme, welche mit der Temperatur zunehmen. Deshalb haben MIL-Typen oft eine höhere Stromaufnahme, weil man mit kleineren Widerständen in der Schaltung arbeitet.
Ein weiters Problem ist bei bipolarer Technik die Schwellwertspannung, bzw. dessen Temperaturkoeffizient von ca. -2.5mV/K. Bei Raumtemperatur, leitet eine Si-Diode ab etwa 0.6-0.7V. Bei -75°C liegt diese Spannung um 0.25V höher.
Dies macht Teilweise eine andere Dimensionierung oder andere Toleranzen für MIL-Typen nötig. Manchmal muss auch das Schaltungskonzept etwas verändert werden.
Oft werden MIL-Typen auch mit grösseren Strukturgrössen gefertigt, bzw. es ist kein Die-Shrink, wie bei den C-Typen, möglich. Die grösseren Strukturen sind zwar langsamer, bzw. haben einen grösseren Stromverbrauch, sind aber gleichzeitig etwas weniger anfällig gegen ESD und besonders auch gegen ionisierende Strahlung. Allerdings gibt es auch spezielle Herstellungs-Verfahren für MIL-Typen um sie zu „härten“, also gegen ionisierende Strahlung beständig zu machen. Diese Ausführungen haben dann aber mit den C-Typen, ausser der Funktion, nichts mehr gemeinsam.
MfG Peter(TOO)