Hallo miteinander.
Kann man einen Transistor (bipolar) zu Durchschalten bringen, wenn die Basis Emiter Spannung deutlich unter CE Spannung liegt?
Gruß.
Balázs
Siliziumtransistoren schalten je nach Größe zw. 0,6 und 0,8V durch.
Hallo,
Kann man einen Transistor (bipolar) zu Durchschalten bringen,
wenn die Basis Emiter Spannung deutlich unter CE Spannung
liegt?
Gehen wird von einem Siliziumtransitor aus, ja?
Pkt. 1 Bipolartransistoren sind stromgesteuerte BE.
Oft wird das vergessen, ist aber zum Verständnis wichtig.
pkt2. 2 Durchgeschaltet bedeutet im normalen Sprachgebrauch,
dass U_ce minimal wird (Restspannung ca. 0,1…0,3V).
Bei hohen Strömen kann die Restspannung auf Grund von
Bahnwiderständen etwas größer sein.
Pkt. 3 Die nötige Spannung an der Basis entspricht der
normalen Flußspannung eines pn-Überganges,
für Si also ca. 0,6V-0,7V unter normalen Bedingungen.
Pkt. 4 Um zur Übersteuerung zu kommen, muß in die Basis
ein Mindeststeuerstrom fließen: I_basis > Ice/hfe21
(hfe21 = Stromverstärkungsfaktor).
Gruß Uwi
Hallo
Ich bin etwas irritiert, weil zum einen die angewendeten Begriffe relativ fachgerecht sind, die eigentliche Frage aber Kenntnisse über Transistoren vermissen lässt.
Vielleicht sollte man nach der Anwendung fragen, und ein npn oder pnp Transistor ist im wesentlichen ein Stromverstärker. Ab einer bestimmetn BE Spannung ist die Basis relativ niederohmig, genau wie eine Diode.
MfG
Matthias
Hallo Balázs,
Kann man einen Transistor (bipolar) zu Durchschalten bringen,
wenn die Basis Emiter Spannung deutlich unter CE Spannung
liegt?
Eigentlich nicht.
Typischerweise ist Ube > Uce wenn der Transistor in der Sättigung ist.
Wenn der Transistor als Schalter verwendet wird, wählt man Ib etwa 10x grösser als Ic/Hfe.
Die genauen Spannungen von Ube und Uce hängen von den Bahnwiderständen ab und stehen im Datenblatt.
MG Peter(TOO)
Hallo
Ich bin etwas irritiert, weil zum einen die angewendeten
Begriffe relativ fachgerecht sind, die eigentliche Frage aber
Kenntnisse über Transistoren vermissen lässt.
Warum sonst fragt man?
Vielleicht sollte man nach der Anwendung fragen,
Also ich möchte ca.12V mit einem npn durch 5V durchschalten (gemeinsamme Masse)
Jetzt habe ich probiert und tatsächlich schaltet durch.
12V - Widerstand - C-E-GND, aber dabei bleibt am C noch ca. 0,8-0,9V je nach probierten Transistor. Nun möchte ich von da ab noch einen Gegentakt betreiben der aber 24V schalten soll. Ist aber dann diese Spannung nicht zu groß (deutlich über 0,7) und schaltet den npn von dem Gegentakt dauernd durch, bzw. hindert den pnp am schalten?
Gruß
Balázs
Hi.
Vielen dank Uwi.
Ich kenne mich zwar nicht mit dem Seelenleben der Transistoren vollkommen aus aber wie ich Basisstrom dimensionieren soll dafür reicht noch gerade:smile:
Du wirst dich noch erinnern, dass ich mal nach die Dimensionierung den Kondensator für den Bootstrapping für Hig Side Mosfetsteiber gefragt habe und du deine Methode mit dem pulup Wandler vorgeschlagen hast.
Nun habe ich jetzt einen gebaut der aber ganz wenig Leistung bringt daher möchte ich sparend mit dem Saft umgehen. Dazu den Gegentakt.
Klar kann man so was fertig kaufen aber ich möchte etwas auch endlich mal lernen:smile:
Gruß
Balázs
Hallo.
Kann man einen Transistor (bipolar) zu Durchschalten bringen,
wenn die Basis Emiter Spannung deutlich unter CE Spannung
liegt?Eigentlich nicht.
Eigentlich doch.
Typischerweise ist Ube > Uce wenn der Transistor in der
Sättigung ist.
Bei normalen npn Transistoren (spezial gibts auch) ist in der Sättigung Ube
Hallo
Für einen Schalter brauchst Du normal keine Gegentaktschaltung(ausser Umpolung) und zum anderen, schau Dir Doch einmal Schaltungen mit Gleichspannungskopplung an(ohne Kondensator).
Das kann man nicht so gut rein verbal erklären, und es kommt darauf an.
MfG
Matthias
Hallo Matthias,
Kann man einen Transistor (bipolar) zu Durchschalten bringen,
wenn die Basis Emiter Spannung deutlich unter CE Spannung
liegt?Eigentlich nicht.
Eigentlich doch.
Typischerweise ist Ube > Uce wenn der Transistor in der
Sättigung ist.Bei normalen npn Transistoren (spezial gibts auch) ist in der
Sättigung Ube sat ca. 0.3V
Z.B. http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BC846_BC546_…
Einmal vorrausgesetzt, man redet von npn Transistoren und bei
pnp Typen von größerer oder kleinerer negativer Spannung.
Um das zu verdeutlichen, denkst Du vielleicht einmal an die
Basisschaltung, es handelt sich immer um 2 Strecken, deren
Spannungen sich für die CE-Strecke addieren.
Dann hast du die Halbleiterphysik nicht verstanden, das Ersatzmodell mit den beiden Dioden erklärt der Transistoreffekt eben nicht.
Die genauen Spannungen von Ube und Uce hängen von den
Bahnwiderständen ab und stehen im Datenblatt.Was denn für Bahnwiderstände??
Die Leiterbahnen kann man doch großzügig mit 0 Ohm berechnen.
Da ist nicht nur die Leiterbahn und der Bonddraht zuständig, sondern vor allem die Dotierung der Basisstrecke.
Bei Kleinleistungstransistoren liegt der Bahnwiderstand so im Bereich von 10 bis 100 Ohm.
Die Ube/Ib-Kennlinie ergibt sich nach erreichen der Schleusenspannung fast nur aus dem Bahnwiderstand.
http://de.wikipedia.org/wiki/Ersatzschaltungen_des_B…
http://www.ipe.fzk.de/lehre/vrl_elp/ipe-2009-11-24/V…
MG Peter(TOO)
1 Like
Hallo
Für einen Schalter brauchst Du normal keine
Gegentaktschaltung(ausser Umpolung)
So weit habe ich das schon gerafft.
und zum anderen, schau Dir
Doch einmal Schaltungen mit Gleichspannungskopplung an(ohne
Kondensator).
Das tat ich und habe ja auch ein kleinen Wandler gebastelt und auch unter verschiedenen Lästen getestet. Leider gibt der dann nicht viel her. Ob das dann für schnelle schalten für zwei Leistungsmosfets reicht das kann ich nicht beurteilen, so tief bin ich ja in dem Material doch lange nicht und wahrscheinlich werde auch nie:smile:
Daher dachte ich, dass ich hier mit einem Gegentakt (parktisch Leistungslos) auf der Sichere Seite wäre.
Diese Feinheiten ohne Osci zu messen geht ja nicht.
Das kann man nicht so gut rein verbal erklären, und es kommt
darauf an.
Ja leider:smile:
Gruß und danke
Balázs
Hallo,
Das tat ich und habe ja auch ein kleinen Wandler gebastelt
mit welcher Frequenz läuft der? Gesättigte Transistoren sind RICHTIG langsam. Übrigens genauso wie gesättigte Mosfets…
Gruß
loderunner
Hi.
mit welcher Frequenz läuft der?
So um 17K. Spule 47mH. Mit einem großen Mosfet (40A) geschaltet (was ich halt habe:smile:
Ist das hier langsam?
Gesättigte Transistoren sind
RICHTIG langsam. Übrigens genauso wie gesättigte Mosfets…
Ja das habe ich auch schon mitbekommen und den Grund auch verstanden:smile:
Aber bei meiner Anwendung (Motorsteuerung)werden max. 1,5 KH (Schaltvorgänge) verlangt, das ist aber nicht was schnelles oder?
Gruß
Balázs
Ps: der Wandler hält bei 2.2K last einigermaßen die Spannung 23V.
Langt diese Stromstärke dann für die Leistungmosfets (45A) noch rechtzeitig zu schalten?
Hallo
Ich habe einmal überprüft, wie ich denn zu den Werten gekommen bin.
Tatsächlich haben viele Typen eine Sättigungsspannung CE von 0,2 bis 0,3 Volt, was ich zuerst nicht geglaubt habe.
Viele haben aber auch 1 Volt oder darüber.(Quelle ECA)
MfG
Matthias
Hallo Matthias,
Tatsächlich haben viele Typen eine Sättigungsspannung CE von
0,2 bis 0,3 Volt, was ich zuerst nicht geglaubt habe.
Viele haben aber auch 1 Volt oder darüber.(Quelle ECA)
Welche Typen hast du dir angesehen?
Das liegt dann aber am Bahnwiderstand der CE-Strecke 
Hauptsächlich sind das Leistungstransistoren oder Hochvolt-Typen.
Oder Darlington-Transistoren, aber das ist physikalisch kein Grundtyp, sondern eine Schaltung aus zwei Transistoren.
Übrigens, Uce(sat) wird praktisch nur durch die Geometrie bestimmt! Vertauscht man bei einem Planartransistor C und E, wird Uce(sat) um den Faktor 10 bis 100 kleiner, allerdings wird Hfe auch um den etwa Faktor 10 kleiner.
MfG Peter(TOO)
Hallo loderunner,
Gesättigte Transistoren sind RICHTIG langsam.
Deshalb gibts ja den Schaltungtrick, des Schottky-Transistors bei Si
Dabei wird eine Schottky-Diode zwischen Basis und Collector geschaltet (Anode an Basis).
Damit wird der Transistor auf etwa Uce = 0.5V durchgesteuert, kommt aber nicht in die Sättigung.
http://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-TTL#Beschreibung
Ausführlicher aber auf englisch (ab Seite 7):
http://esminfo.prenhall.com/engineering/wakerlyinfo/…
MfG Peter(TOO)
Hallo,
was sind 17K und 1,5KH ?
Soll das etwa kHz heißen? Dann schreib es bitte auch so.
Fachleute… tz.
Gruß
Bernd
Hi.
Sorry
Hallo,
was sind 17K und 1,5KH ?
Soll das etwa kHz heißen?
Ja, wollte, kHz (gelertnt ist gelernt:smile:
Fachleute… tz.
Jawohl, verstanden:smile:
Gruß
Balázs
Ps: tja, Vika:smile:
Hallo,
So um 17K. Spule 47mH. Mit einem großen Mosfet (40A)
geschaltet (was ich halt habe:smile:
Ist das hier langsam?
Hört sich nach „langsam“ an.
Aber bei meiner Anwendung (Motorsteuerung)werden max. 1,5 KH
(Schaltvorgänge) verlangt, das ist aber nicht was schnelles
oder?
Doch, das ist schon schnell für Leistungsbauteile. Kommt drauf an, wie groß die möglichen Ströme der Ansteuerschaltung sind, ob das hier alles schnell genug geht. Du solltest überlegen, dass während des Umschaltens der Mosfet nicht als Schalter, sondern als sich verändernder Widerstand wirkt und eben nicht komplett auf oder zu macht. Das bedeutet, dass zum einen hier große Verluste lauern (macht wohl eher nichts) und zum anderen natürlich dadurch der Innenwiderstand Deiner Schaltung stark ansteigt, je öfter geschaltet wird.
Ps: der Wandler hält bei 2.2K last einigermaßen die Spannung
23V.
Langt diese Stromstärke dann für die Leistungmosfets (45A)
noch rechtzeitig zu schalten?
Keine Ahnung, müsste man messen.
Gruß
loderunner
Hallo,
Gesättigte Transistoren sind RICHTIG langsam.
Deshalb gibts ja den Schaltungtrick, des Schottky-Transistors
bei Si
Das ist natürlich richtig, aber dann erhöht man auch heftig die Verlustleistung, sehe ich das richtig? Ich weiß nicht, ob man sich das hier leisten kann.
Gruß
loderunner