habe ein Problem an einem Ultraschallreinigungsgerät. Meine Vermutung geht dahin, das einer oder beide Leistungstransistoren den Geist aufgegeben haben.
Möchte die Transistoren irgendwie durchprüfen, weiss aber nicht wie ich es anstellen kann.
Es handelt sich um zwei BUY79 NPN-Transistoren 350V 8A 90W TO3 Gehäuse.
Bevor ich auf gut Glück Ersatz besorge, wollte ich Gewissheit das es daran liegt.
irgendwie durchprüfen.
Was hast Du für Messgeräte?
Hast Du ein Multimeter?
Die einfachste Prüfung ist ein Kurzschlusstest im ausgebauten Zustand mit Test der Diodenfunktion zwischen Basis zu Emitter und Basis zu Kollektor.
irgendwie durchprüfen.
Was hast Du für Messgeräte?
Hast Du ein Multimeter?
ja
Hat das eine Diodentestfunktion?
ein Silizium-NPN-Transistor besteht im Prinzip aus zwei gegeneinandergeschalteten Siliziumdioden, welche ihre Kathoden am Kollektor und am Emitteranschluß haben, während der gemeinsame Anodenanschluss an der Basis liegt.
Die einfachste Prüfung ist ein Kurzschlusstest im ausgebauten Zustand mit Test der Diodenfunktion zwischen Basis zu Emitter und Basis zu Kollektor.
Wenn Du jetzt im „Diodentest“ die beiden Dioden auf Durchgang prüfst, dann kannst Du folgende Ergebnisse erhalten:
eine der Dioden hat einen Kurzschluss (0V), schmeiß den Transistor weg.
eine der Dioden hat gar keinen Durchgang (noch mal im Widerstandsbereich überprüfen), schmeiß den Transistor weg.
beide Dioden haben einen Spannungsabfall (Schleusenspannung) zwischen 0,5V und 0,7V, Der Transistor ist mit großer Wahrscheinlichkeit ok.
… Wenn Du jetzt im „Diodentest“ die beiden Dioden auf Durchgang prüfst, dann kannst Du folgende Ergebnisse erhalten:
eine der Dioden hat einen Kurzschluss (0V), schmeiß den :Transistor weg.
eine der Dioden hat gar keinen Durchgang (noch mal im Widerstandsbereich überprüfen), schmeiß den Transistor weg.
beide Dioden haben einen Spannungsabfall (Schleusenspannung) zwischen 0,5V und 0,7V, Der Transistor ist mit großer Wahrscheinlichkeit ok.
zwischen Emitter und Kollektor darf in keiner Richtung merklich Strom fließen. Bei überlasteten Leistungstransistoren entsteht dazwischen leicht ein Kurzschluss (beim „2nd breakdown“), ohne die Kennlinien der beiden von merimies beschriebenen Dioden so stark zu verändern, dass man’s mit dem Multimeter bemerkt.
Die einfachste Prüfung ist ein Kurzschlusstest im ausgebauten Zustand mit Test der Diodenfunktion zwischen Basis zu Emitter und Basis zu Kollektor.
Die Kollektor-Emitterstrecke muss auch noch gemessen werden.
Besonders bei Zerstörung durch einen zweiten Durchbruch, sind die Basis-Emitter und Basis-Kollektor Dioden scheinbar noch in Ordnung, aber die Kollektor-Emitter-Strecke ist leitend.
Es scheint so, dass dabei die Hotspots einen Kanal durch die Basis-Schicht schmelzen.
Bei einem NPN-Transistor entsteht also ein N-Kanal durch die P-Schicht, weshalb die Diodenstrecke zur Basis erhalten bleibt.