Hallo zusammen,
worin besteht der Unterschied zwischen MOCVD (sprich Gasphasenabscheidung) und MOVPE (sprich Gasphasenepitaxie) bei der Herstellung von lichtemittierenden Schichten?
Mir ist nicht klar ob und wie sich die beiden Verfahren unterscheiden. Sind die Verfahren identisch und lediglich die Anwedungen sind verschieden ? (MOCVD --> LED, MOVPE --> Laser)
Danke im voraus für eure Antworten.
lg
Wolfgang
Hallo Wolfgang,
worin besteht der Unterschied zwischen MOCVD (sprich
Gasphasenabscheidung) und MOVPE (sprich Gasphasenepitaxie) bei
der Herstellung von lichtemittierenden Schichten?
Mir ist nicht klar ob und wie sich die beiden Verfahren
unterscheiden. Sind die Verfahren identisch und lediglich die
Anwedungen sind verschieden ? (MOCVD --> LED, MOVPE --> Laser)
ich bin schon eine Weile raus aus der CVD, aber auf den ersten Blick würde ich sagen, der Unterschied liegt in der Epitaxie: Während bei der CVD die Gitterstrukturen von Substrat und Schicht nicht übereinstimmen müssen, müssen die Gitter bei der Epitaxie wohl so gut zusammenpassen (mit allenfalls einem kleinen mismatch), dass das Gitter der Schicht ohne „Bruch“ auf dem Gitter des Substrates weiterwachsen kann. Was das für die Anwendung bedeutet, kann ich allerdings nicht sagen. Es könnte (!) so sein, dass man durch das Aufwachsen einer Schicht auf einem Substrat mit gleichem Gitter, aber leicht unterschiedlicher Gitterkonstante, die Gitterkonstante der Schicht durch die Anpassung an das Grundgitter leicht verändert, um z.B. unterschiedliche Laserwellenlängen erzeugen zu können. Aber wirklich beurteilen kann ich das nicht. Vielleicht helfen Dir die Stichwörter beim Googeln oder jemand anders weiß es besser.
Grüße, Thomas