Vergleichstypen von Dioden und Transistoren

Technik Elektronik & Elektrotechnik
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Hallo Leute,

ich versuche gerade, eine Schaltung nachzubauen, die u.a. den Transistor BC807 und die Diode BAS16 enthält (es handelt sich dabei um die Schaltung für den Ultraschall-Entfernungsmesser SRF04). Da meine Version der Schaltung nur ICs im DIL-Gehäuse enthalten soll (während beim Original alles im SO-Gehäuse ist), müssen die Transistoren und Dioden laut Datenblatt ungefähr den dreifachen Strom schaffen und sollten außerdem für Loch-Montage geeignet sein.

Meine Frage: Wie finde ich geeignete Vergleichstypen? Wo muss ich suchen und worauf muss ich achten?

Vielen Dank im Voraus!

Grüße,

Stefan Müller

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Anmerkung
Hallo,

Da meine Version der Schaltung nur ICs im DIL-Gehäuse
enthalten soll (während beim Original alles im SO-Gehäuse
ist), müssen die Transistoren und Dioden laut Datenblatt
ungefähr den dreifachen Strom schaffen und sollten außerdem
für Loch-Montage geeignet sein.

Ein IC im DIL-Gehäuse hat im allgemeinen genau die gleichen Daten wie das gleiche IC im SO-Gehäuse - mit Ausnahme der zulässigen Verlustleitung.
Ich sehe auch nicht, warum da der dreifache Strom fließen sollte, der wird im allgemeinen durch Widerstände bestimmt, die sich durch die Gehäuseform auch nicht ändern.
Gruß
loderunner

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Hallo,

naja, also ganz so ist das nicht - ICs im SO-Gehäuse sind oftmals für „Ultra Low Power Consumption“ ausgelegt, so auch die ICs in dem SRF04 Modul, da es für den Batteriebetrieb geeignet sein soll. Ich habe die Daten der ICs in dem SRF04-Modul mit den Daten meiner ICs verglichen, und es besteht tatsächlich ein Unterschied in der Stromaufnahme (und Low-Power-ICs im DIL-Gehäuse habe ich leider keine bekommen)…

Grüße,

Stefan

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Hallo,

naja, also ganz so ist das nicht - ICs im SO-Gehäuse sind
oftmals für „Ultra Low Power Consumption“ ausgelegt,

Nochmal: das hängt vom Typ, nicht vomn Gehäuse ab.
Natürlich kann es einen speziellen Typ geben, der nur in einer Gehäuseform erhältlich ist, aber das ist kein prinzipielles Problem.

Zu Deinem Problem:
Du hast ja sicher den Schaltplan des Moduls (z.B. von hier: http://www.robot-electronics.co.uk/files/srf1.pdf). da kannst Du sehen, dass der Transistor BC807 nur zum Schalten des ST232 verwendet wird und die Diode BAS16 als Gleichrichter. Dementsprechend kannst Du in dieser Anwendung als Ersatz einen BC557 bzw. eine normale 1N4148 einsetzen. Und wenn die Anwendung keine Rücksicht auf Batteriebetrieb nehmen muss, kannst Du den Transistor wahrscheinlich auch durch eine Brücke ersetzen.

Gruß
loderunner

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Hallo,

zusätzlich zu dem von Loderunner gesagtem möchte ich Dir folgenden
Tip geben.

Viele Bastler haben ein gewisses Hemmnis SMD-Bauelemente einzusetzen.
Dafür gibt es aber oft gar keinen sachlichen Grund.
Ich nehme auch für Versuchsschaltungen auf Lochraster-LP im
ganz normalen 100 mil-Raster (2,54mm) viel lieber SMD-BE
(R, C, Tantal-C, Dioden, Transsitoren usw.) als die blöden
unhandlichen Durchstecker.

Z.B. C und R im 0805-Bauform passen prima zwischen die Pins
von DIL (also 2,54mm-Raster). Da spart man sich oft eine Menge
Verdrahtung,niedlich klein wird’s auch ganz zu schweigen von
den Möglichkeiten einer zweiseitigen Bestückung :smile:
Wenn Dir 0805 für’n Anfang noch zu klein sind, nimm eben
erstmal 1206.

Nur bei IC ist es etwas anders.
Die macht man als Bastler besser auf Fassung.
Damit bieten sich DIL-IC natürlich an.

Wenn IC nicht als DIL-Bauform zu haben sind, kann man auch
Adapter nehmen z.B. SO auf DIL (für 8…32pol. Gehause).
z.B. Farnell Best.-Nr.: 136594
http://de.farnell.com/jsp/endecaSearch/partDetail.js…

Außerdem gibt es auch Lochraster-LP mit 50mil-Raster (1,27mm).
Damit kann man auch schon hochpolige BE (z.B. Prozessoren
auf Testschaltungen bzw. Einzelmuster bringen.
z.B. Farnel: Best.-Nr.: 3057197
http://de.farnell.com/jsp/endecaSearch/partDetail.js…

Hier mal ein einfaches Beispiel, wie sowas aussehen kann.
Die Packungsdichte ist dabei noch recht locker (obwohl schon ca.
70 SMD-BE drauf sind), ich habe auch schon deutlich mehr auf
wesentlich kleinere Fläche gebracht.

http://img149.imageshack.us/my.php?image=motorsteuer…

Gruß Uwi

ich versuche gerade, eine Schaltung nachzubauen, die u.a. den
Transistor BC807 und die Diode BAS16 enthält (es handelt sich
dabei um die Schaltung für den Ultraschall-Entfernungsmesser
SRF04). Da meine Version der Schaltung nur ICs im DIL-Gehäuse
enthalten soll (während beim Original alles im SO-Gehäuse
ist), müssen die Transistoren und Dioden laut Datenblatt
ungefähr den dreifachen Strom schaffen und sollten außerdem
für Loch-Montage geeignet sein.

Meine Frage: Wie finde ich geeignete Vergleichstypen? Wo muss
ich suchen und worauf muss ich achten?

Vielen Dank im Voraus!
Grüße,
Stefan Müller

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Hallo:

Ich sehe auch nicht, warum da der dreifache Strom fließen
sollte, der wird im allgemeinen durch Widerstände bestimmt,
die sich durch die Gehäuseform auch nicht ändern.

Wenn ein der beiden Gehaeusen einen niedrigen therm. Widerstand als das andere hat, dann kann die Verlustleistung (und somit der Durchlassstrom)erhoeht werden, ohne die erlaubte Sperrschichttemp. zu ueberschrieten.

Das Material Silizium ist meistens nicht der Grund, warum die Bauelemente nicht hoeher als 150 grad (oder so) arbeiten koennen. Silizium kann bis sogar 200 grad arbeiten ohne Probleme. Schuld an dieser Begrenzung sind die Bonddraehte, Lotschichten usw.

Gruesse

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Hallo

Wenn ein der beiden Gehaeusen einen niedrigen therm.
Widerstand als das andere hat, dann kann die Verlustleistung
(und somit der Durchlassstrom)erhoeht werden, ohne die
erlaubte Sperrschichttemp. zu ueberschrieten.

Das ist in diesem Zusammenhang falsch ausgedrückt: nicht die Verlustleistung wird erhöht, sondern die zulässige Verlustleistung.
Ob sich die tatsächliche Verlustleistung erhöht, ist völlig unabhängig vom Gehäuse.
Aber das meintest Du sicher genauso.
Gruß
loderunner