Welchen Transistor für niedrigen Basisstrom?

Hallo!
Ich bin auf der Suche nach einem Transistor, der mit bis zu 100 kHz von einem DDS Funktionsgenerator gepulst wird [Rechteck]. Da der Funktionsgenerator einen niedrigen Ausgangsstrom hat (wie hoch weiß ich selbst nicht genau)
frage ich mich was wohl die beste Lösung wäre. Darlington Transistoren sind ja ziemlich langsam wenn ich mich nicht irre. Da gibt es dann noch diese BUZ Transistoren bei denen überhaupt kein Basisstrom fließt aber kann ich so einen auch hier verwenden? Es wird übrigends eine Induktivität angesteuert.
Noch ein paar Zahlen:
Uce=15V
Ic=5A max.

mfg

Hallo,
Darlington bringt höhere Stromverstärkung, braucht jedoch genauso Basisstrom. Lösung: FET. Mir fällt grad BS 109 oder 107 ein, doch konnte m.E. nur etwa 100 mA.
Ich such mal einen Katalog.

Tschaui

Erst mal Danke!! 100 mA ist wohl eher schon die obere Grenze. Vielleicht gibt es noch eine andere Möglichkeit. mfg

Nimm N-Kanal MOSFET mit Treiber
Hallo Alex^^,

Einen Darlington-Transistor (oder sonstigen Bipolar-Typen) kannst Du natürlich nicht ohne Vorwiderstand an den Ausgang des DDS anschließen, der Widerstand verlangsamt wiederum die Schaltgeschwindigkeit, so dass Du parallel zum Basis-Vorwiderstand mindestens einen sog. „Beschleunigungskondensator“ schalten solltest. Allerdings wird der Ausgang des DDS dann auch mit kapazitiven Strömen belastet (Pulsströme).

Folgende Lösung wäre daher meines Erachtens am besten geeignet:
Nimm einen MOSFET-Treiber (z.B. MC34151(invertierend) oder MC34152) und schließe an seinen Ausgang einen N-Kanal MOSFET an (z.B. BUZ10 oder BUZ11 (50V, 23A).

Prinzipiell könntest Du natürlich auch einen Bipolar-Transistor an den Ausgang des Treibers hängen, doch macht das nicht wirklich Sinn. Ich würde für reine Schaltaufgaben generell keinen Bipolar-Transistor mehr verwenden.

Der MOSFET-Treiber ist nötig, da zum schnellen Ein- u. Ausschalten des MOSFET hohe kapazitive Umladeströme erforderlich sind. Einziger Nachteil dieser Anordnung: Der Treiber benötigt eine Spannung zwischen 6,5 bis 18Volt, sowie einen 4µ7 und 100nF Puffer-Kondensator vom +Ub-Pin nach GND. Er liefert Pulsströme bis 1,5A (natürlich nur für wenige zehn Nano-Sekunden).

An den Kollektor des MOSFET schaltest Du dann die Induktivität (Lautsprecherspule?). Wichtig ist eine schnelle Freilaufdiode parallel zur Induktivität in Sperr-Richtung (also Anode der Diode an den Kollektor (Drain) des MOSFET).
Falls Du keine Freilaufdiode zur Verfügung hast, nimm einen weiteren MOSFET und nutze die integrierte Revers-Diode. Diese ist in der Regel auch schnell genug. Wenn Du nur die Diode in einem MOSFET nutzt, schließe das GATE an SOURCE an, damit der MOSFET nicht leitend werden kann.

Soviel Info sollte genügen.
Grüße,
Hilarion

Hallo!
Ich bin auf der Suche nach einem Transistor, der mit bis zu
100 kHz von einem DDS Funktionsgenerator gepulst wird
[Rechteck].
Uce=15V
Ic=5A max.

Hallo
Danke für die Antwort
Bedeutet das ich kann den den MOSFET direkt (ohne Vorwiderstand) an den MC34152 anschließen? Hat die Spannung am Logikeingang des MC34152 einen Einfluss auf den Widerstand der CE - Strecke des Transistors?
mfg

Mosfet direkt an Treiber anschließen
Hallo Alex^^

richtig, um maximale Schaltgeschwindigkeit des MOSFET zu erreichen und damit die Schaltverluste im MOSFET zu minimieren, schaltest Du den MOSFET direkt an den Ausgang des Treibers.
Die schnellen Schaltflanken erzeugen zwar eine stärkere elektromagnetische Abstrahlung, doch in Deinem Fall dürfte sich dies nicht nachteilig bemerkbar machen, und wenn doch, dann schalte einen 10 Ohm Widerstand zwischen Treiberausgang und GATE des MOSFET.

Den Eingang des MOSFET-Treibers schließt Du an den Ausgang Deines Gerätes. Der Treiber hat einen digitalen Eingang und einen digitalen Ausgang:
Wenn der Eingang HIGH ist, ist auch der Ausgang HIGH (oder invertiert bei dem anderen Treibertypen). Der Vorteil des Treibers ist, dass der Eingangsstrom maximal nur 500 Mikroampere beträgt, dafür der Ausgangsstrom bis 1,5A erreicht.
Der Treiber liefert die nötigen Stromspitzen, um den MOSFET schnell ein- und auszuschalten. Der Ausgang Deines Gerätes könnte den MOSFET nicht so schnell ein- u. ausschalten, da der Ausgang wahrscheinlich nur wenige Milliampere liefert.

Bei einem MOSFET spricht man nicht von der Basis-Emitterstrecke, sondern von der Gate-Source Spannung. Der MOSFET wird nicht durch einen Basisstrom angesteuert, sondern durch eine Spannung an seinem Gate bezogen auf den Source-Anschluss. Der MOSFET hat den Vorteil, dass er im eingeschalteten Zustand keinen „Basisstrom“, besser gesagt GATE-Strom verbraucht. Man nennt dies daher leistungslose Ansteuerung, zumindest im statischen Betrieb, d.h. keine häufige Ein- u. Ausschaltung.

Ein N-Kanal MOSFET wird leitend, wenn am Gate eine positive Spannung anliegt, bezogen auf den Source-Anschluss. Beispiel: wenn der Source-Anschluss mit Masse oder GND verbunden ist, dann schalten 5V am Gate den MOSFET ein. Je nach MOSFET-Typ sind jedoch 10 oder 12V zu empfehlen, damit der Einschaltwiderstand minimal ist. Ein P-Kanal MOSFET wird leitend, wenn die Spannung am GATE negativer ist als das Potential am Source-Anschluss.

Hoffe das reicht.
Gruß,
Hilarion

Bedeutet das ich kann den den MOSFET direkt (ohne
Vorwiderstand) an den MC34152 anschließen?

Hat die Spannung am

Logikeingang des MC34152 einen Einfluss auf den Widerstand der
CE - Strecke des Transistors?
mfg

Hallo

Jetzt ist mir alles klar!
Vielen herzlichen Dank für die Hilfe!
mfg

Hallo,

hier kannst du dir einen passenden FET raussuchen.
https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNaviga…

Evtl. kann man einen FET (auch Logik-Level-FET) auch ohne
speziellen Treiber ansteuern. Das ist natürlich davon abhängig,
wie belastbar der Ausgang real ist. Bei schnellen Umschalten müssen
ja auch die Gatekap. sowie weitere parasitäre Kap. umgeladen werden.

Treiber kann man von IR auch bekommen, z.B. IR2104 .

Gruß Uwi

Ich bin auf der Suche nach einem Transistor, der mit bis zu
100 kHz von einem DDS Funktionsgenerator gepulst wird
[Rechteck]. Da der Funktionsgenerator einen niedrigen
Ausgangsstrom hat (wie hoch weiß ich selbst nicht genau)
frage ich mich was wohl die beste Lösung wäre. Darlington
Transistoren sind ja ziemlich langsam wenn ich mich nicht
irre. Da gibt es dann noch diese BUZ Transistoren bei denen
überhaupt kein Basisstrom fließt aber kann ich so einen auch
hier verwenden? Es wird übrigends eine Induktivität
angesteuert.
Noch ein paar Zahlen:
Uce=15V
Ic=5A max.

mfg