Also wenn ich das richtig verstehe, verhält sich ein Widerstand samt seiner Anschlussdrähte als eine Induktivität bei sehr hohen Frequenzen!?
Nicht immer, das hängt vom Aufbau ab. Bei gewendelten, niederohmigen Widerständen überwiegt der durch den Wendel erzeugte induktive Anteil. Bei hochohmigen Masse- oder Flachchip-Widerständen überwiegt die Kapazität der Anschluss-Kontaktierungen (Plattenkondensator).
Ich habe ein Ersatzschaltbild eines Widerstandes, in dem noch ein Kondensator parallel zum Widerstand eingezeichnet ist. Heißt das, dass sich an den Enden des Kondensator Ladungen bilden bei hohen Frequenzen, die dadurch dann noch eine Kapazität bilden!?
S. o. (Plattenkondensator)
Wird der Widerstand bei steigender Frequenz nicht auch noch höher und zwar durch den Skineffekt, da der Querschnitt, durch den der Strom durch den Widerstand fließt, aufgrund des Effektes kleiner wird!?
Ja. Die Widersandsschicht ist bei den meisten Bauformen sehr dünn (Schicht- oder Filmwiderstand). Dann wird der Skineffekt erst im oberen GHz-Bereich merklich, wobei ihn andere Effekte völig überdecken.
Nun zu Spulen: Bei der Resonanzfrequenz wird das Gebilde hochohmig (Parallelschwingkreis).
Wodurch wird das ganze hochohmig? Spielt dabei auch wieder der Skineffekt eine Rolle, weil der genutzte Leiterquerschnitt quasi verringert wird?
Primär zeigt das „Bauteil Spule“ das gleiche Verhalten wie ein Parallelschwingkreis. dessen Impedanz steigt bei der Resonanzfrequenz stark an. Der Skineffekt erzeugt zusätzliche Verluste, dadurch wird die Impedanz (ohmscher Parallelwiderstand) nicht unendlich hoch.
Durch die Kapazitäten zwischen den Wicklungen und der INduktivität und dem Widerstand des Drahtes entsteht der Parallelschwingkreis (Ersatzschaltung) Bei der Grenzfrequenz dieses Parallelschwingkreises der aus den auftretenden Effekten besteht, wird die Induktivität, wie ein rein ohmscher Widerstand?
Eine Induktivität wirkt nie wie ein rein ohmscher Widerstand. Bei der Induktivität sind hinkt der Strom der Spannung hinterher, beim Kondensator umgekehrt und beim ohmschen Widerstand sind beide stets gleichphasig.
Diese Frequenz würde sich doch dann mit der normalen Formel für den Parallelschwingkreis berechnen lassen. 1/(2*pi*sqt(L*C))!? Wobei das dann ja nur bei hohen Frequenzen gilt, weil die Kapazität zwischen den Windungen ja nur bei hohen Frequenzen auftritt.
Genau so wird die Resonanzfrequenz berechnet (bzw. man misst die Resonanzfrequenz und berechnet die dazu passende Parallelkapazität). Das gilt immer, d. h. bei allen Frequenzen. Bei tiefen Frequenzen kann man die Kapazität manchmal vernachlässigen.
Kann man somit sagen, dass sich die SPule zu höheren Frequenzen immer mehr wie ein ohmscher Widerstand verhält, bis zum Maximum bei der Resonanzfrequenz?
Ja. Bei tiefen Frequenzen wie ein ohmscher Widerstand, dann wird sie induktiv, dann wieder mehr ohmsch (bei der Resonanfrequenz rein ohmsch) und bei noch höherer Frequenz sogar kapazitiv.
Irgendwo zwischen 0 Hz und der Resonanzfrequenz liegt daher eine Frequenz, bei der eine Spule ihre maximale Güte (Verhältnis von induktivem Widerstand zu ohmschem Widerstand) besitzt.
Bernhard
